谭静
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
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- 采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET
- 2006年
- 针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm。试制出应变S i/S iG e p-M O SFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/V s,其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟S iG e衬底的器件。
- 李竞春谭静梅丁蕾张静徐婉静
- 关键词：锗硅
- 应变Si沟道CMOS中的离子注入工艺
- 2005年
- 为避免应变Si沟道(Strained Si channel)CMOS工艺中的高温过程,通过选择合适的离子注入能量和剂量,采用快速热退火(RTP)工艺,制备出适合做应变Si沟道CMOS的双阱及源漏。霍尔测试得表面电子迁移率为1 117cm2/V.s,载流子激活率为98%;原子力显微镜测试表明应变Si表面RMS为110 nm;XRD测试虚拟衬底SiGe弛豫度达96.41%;源漏结击穿电压为43.64 V。
- 谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
- 关键词：STRAINEDSICMOS离子注入
- C市农商银行运营流程再造持续改善研究
- 过去,银行将产品、成本、营销技能视为竞争的着力点,但随着各银行金融产品同质化,通过传统的竞争模式取得成功已不切实际。加之互联网技术的发展,以其为代表的现代信息科技正逐步对人类金融模式产生影响,人类对于金融产品及服务的需求...
- 谭静
- 文献传递
- SiGe HCMOS IC关键工艺技术研究
- 由于Si材料受迁移率低、禁带宽度固定等性质的限制，SiGe材料在微电子领域中受到越来越多的关注。在SiGe虚拟衬底上生长应变Si层做器件沟道，将大大增加载流子的迁移率，从而提高器件的跨导和其他性能。但是由于工艺条件的特殊...
- 谭静
- 关键词：SIGE材料载流子迁移率优化设计
- 低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究被引量：3
- 2005年
- 分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1.2V;在700°C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L=52μm/4.5μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300K),阈值电压为0.4V。
- 谭静李竞春杨谟华徐婉静张静
- 关键词：栅介质MOS器件
- 薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs(英文)被引量：2
- 2005年
- 成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT- Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe 衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1. 02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件.
- 李竞春谭静杨谟华张静徐婉静
- 关键词：应变硅
