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宁文果

作品数:17 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇圆片
  • 7篇封装
  • 4篇电镀
  • 4篇电镀铜
  • 4篇镀铜
  • 4篇亚胺
  • 4篇湿度传感器
  • 4篇子层
  • 4篇酰亚胺
  • 4篇聚酰亚胺
  • 4篇光刻
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电镀法
  • 3篇掩膜
  • 3篇圆片级
  • 3篇退火
  • 3篇接触面积
  • 3篇空腔

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 17篇徐高卫
  • 17篇罗乐
  • 17篇宁文果
  • 14篇朱春生
  • 5篇李珩
  • 2篇李桁
  • 1篇叶交托
  • 1篇汤佳杰
  • 1篇王双福
  • 1篇王天喜
  • 1篇韩梅
  • 1篇陈骁

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法
本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法,其特征在于结构上由双层底充胶填充,第一层在芯片端,在圆片上采用旋涂工艺制作;第二层在基板端,在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充;第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量...
朱春生宁文果李桁徐高卫罗乐
一种改进型的基于聚酰亚胺的湿度传感器
本发明涉及一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器,其特征在于,在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,然后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,具有响应时间快的特点。
宁文果罗乐徐高卫李珩
文献传递
一种焊点制备方法及其结构
本发明提供一种焊点制备方法及其结构,该方法包括以下步骤:步骤一,在硅片(1)正面溅射金属层(2),作为电镀种子层;步骤二,在所述金属层(2)上涂光刻胶(3)并前烘;步骤三,图形化光刻胶并后烘;步骤四,使用图形化光刻胶做掩...
宁文果罗乐徐高卫朱春生
文献传递
一种铜‑铜金属热压键合的方法
本发明提供一种铜‑铜金属热压键合的方法,所述方法至少包括步骤:先提供待键合的第一圆片和第二圆片,所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti‑Cu合金薄膜,所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti‑Cu合金薄膜;...
朱春生罗乐徐高卫宁文果
文献传递
增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法
本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为:首先,对介质层PI进行表面预处理,然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后,进行退火处理,增加PI和粘附/种子层金属的结合度,最后,...
朱春生罗乐徐高卫宁文果
文献传递
一种电镀铜的方法
本发明提供一种电镀铜的方法,先提供一需要制作电镀铜布线的基底,采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层;然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层;接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子...
宁文果罗乐徐高卫朱春生
文献传递
一种改进型湿度传感器的制作方法
本发明涉及一种改进型的湿度传感器的制作方法,其特征在于,在电极板之间涂覆的聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔,空腔底部有由腐蚀方法制作的硅通孔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,同...
宁文果罗乐徐高卫朱春生李珩
文献传递
一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构
本发明涉及一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构,应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。其特征在于:溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3);所溅射的背...
宁文果罗乐徐高卫
文献传递
双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法
本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法,其特征在于结构上由双层底充胶填充,第一层在芯片端,在圆片上采用旋涂工艺制作;第二层在基板端,在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充;第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量...
朱春生宁文果李桁徐高卫罗乐
文献传递
掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
2014年
在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长,并导致电镀铜电阻增大.为研究此问题,本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀溅射铜种子层,使裂纹尺寸变大,电镀液得以进入裂纹,并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜;此外若在电镀铜后在电镀铜表面溅射一层TaN层可限制高温下铜原子运动,使电镀铜经受300℃退火10分钟而不形成孔洞,高温退火同时可使得铜晶粒长大,电阻变小.
宁文果朱春生李珩徐高卫罗乐
关键词:电镀铜退火
共2页<12>
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