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李建华

作品数:12 被引量:32H指数:3
供职机构:中国人民武装警察部队学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部重点实验室基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇一般工业技术
  • 9篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇压电
  • 7篇陶瓷
  • 6篇电性能
  • 6篇压电陶瓷
  • 5篇压电性
  • 5篇压电性能
  • 4篇性能研究
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米复相
  • 3篇纳米复相陶瓷
  • 3篇复相
  • 3篇复相陶瓷
  • 3篇PZT
  • 2篇准同型相界
  • 2篇钛酸铅
  • 2篇锆钛酸铅
  • 2篇微粉
  • 2篇微粉体
  • 2篇微观结构
  • 2篇共沉淀

机构

  • 6篇天津大学
  • 6篇中国人民武装...
  • 1篇威海市公安消...

作者

  • 12篇李建华
  • 6篇孙清池
  • 1篇朱宏亮
  • 1篇刘海燕
  • 1篇杨会平
  • 1篇侯伟

传媒

  • 3篇压电与声光
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低温烧结PZT–0.5%PbO·WO_3压电陶瓷被引量:9
2006年
以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(leadzirconatetitanate,PZT)–0.5%PbOWO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响。结果发现:合成温度900℃保温2h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷。n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1100℃保温2h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数ε3T3/ε0=1593,介电损耗tg?=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=88.4。
朱宏亮孙清池刘海燕李建华
关键词:压电陶瓷三氧化钨电性能
聚合物B位前驱体法制备锆钛酸铅纳米复相陶瓷微观结构
2012年
采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体,以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740℃合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体.烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出.借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析.随ZrO2的加入量增加,断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明,采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锆钛酸铅纳米复相陶瓷.
李建华
关键词:压电陶瓷锆钛酸铅微观结构
B位前躯体法制备PZT/ZrO_2纳米复相压电陶瓷的力学性能研究被引量:1
2011年
采用改进的聚合物法制备B位前驱体PZT/ZrO2纳米复相陶瓷。采用TEM观察到马氏体相变和热失配产生的应力条纹和应力斑,发现ZrO2粒子截断电畴和使电畴弯曲的现象。应力场有效吸收裂纹扩展能量,加之ZrO2粒子强化基体晶界,PZT/ZrO2纳米复相陶瓷得到了强韧化。SEM分析显示陶瓷断裂模式随ZrO2加入向穿晶断裂模式转变。抗弯强度和断裂韧性随ZrO2加入量增加明显提高,可达141.6 MPa和2.3 MPa.m1/2。
李建华
关键词:内应力强韧化
共沉淀法制备PZT粉体及性能研究
由于化学共沉淀法工艺简单,能够制备出性能良好的粉体,所以得到了越来越多的关注。采用共沉淀法,利用Pb(Ac)·3HO、Zr OCl·8HO、Ti Cl为原料,以浓氨水为沉淀剂,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,正丁醇为助溶...
李建华孙清池张坤
关键词:共沉淀超微粉体压电性能
文献传递
低温烧结CuO改性PZT压电陶瓷性能研究被引量:6
2011年
为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb(Zr0.52Ti0.48)2O3(PZT)二元压电陶瓷。研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响。XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结。CuO和PbO生成低共熔物,使PZT陶瓷的烧结温度降至970℃,降低了250℃;掺杂质量分数0.4%的CuO时,PZT陶瓷的综合性能最优:密度为7.65 g/cm3,εr=1 645,tanδ=0.015,d33=260 pC/N,kp=0.44,Qm=1 500。
侯伟李建华
关键词:压电陶瓷氧化铜压电性能
原位制备PZT/ZrO_2纳米复相陶瓷强韧机制研究
2011年
采用聚合物B位前驱体法制备了锆钛酸铅基(PZT/ZrO2)纳米复相陶瓷,研究了所制陶瓷的力学性能。采用残余应力场模型讨论了纳米ZrO2粒子强韧化PZT基体的机制。结果表明:四方和单斜ZrO2纳米粒子在原位析出,PZT/ZrO2纳米复相陶瓷的断裂韧性和抗弯强度相对于纯PZT分别提高了79%和41%,同时压电性能稍微降低。
李建华任永道
关键词:微观结构压电性能
Fe、Sr和Ca掺杂PZT压电陶瓷性能研究
用传统的固相反应法合成了Fe、Sr和Ca掺杂锆钛酸铅二元系列压电陶瓷,研究了组成和制备工艺对材料结构和性能的影响。实验结果表明:当PZTF、PSZTF和PCZTF系列的Zr/Ti分别为51/49、52/48和52/48时...
李建华孙清池
PNS-PZ-PT压电陶瓷烧结和性能的研究被引量:1
2006年
对Pb(Ni1/3/3Sb2/3)-PbZrO3-PbTiO3陶瓷烧结和压电性能的研究表明:当含有48mol%PbTiO3和少于10mol%Pb (Ni1/3Sb2/3)的粉体在850℃下煅烧2 h,得到单一钙钛矿结构,但是如果Pb(Ni1/3Sb2/3)组成在12mol%~14mol%之间时,则三方相和四方相共存。所以材料的准同相界在Pb(Ni1/3Sb2/3)=12mol%,PbZrO3=40mol%,PbTiO3=48mol%。当该组分在1260℃至1280℃烧结时得到的烧结物密度最大为7.8g/cm3。扫描电镜结果表明在1280℃时材料烧结气孔率最小。当处于准同相界的组分在1280℃烧结时,材料的机电耦合系数Kp和机械品质因数Qm分别达到最大值0.488和最小值292.5。
李建华孙清池
关键词:压电陶瓷
Sr掺杂四元系压电陶瓷压电性能研究被引量:1
2011年
采用传统的固相烧结法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加SrCO3提高材料的性能。采用X线衍射对合成后材料的晶相进行分析,用扫描电子显微镜观察了样品表面的显微结构,并讨论了组成压电性能及温度稳定性的影响。当烧结温度为1 260℃并保温2h,且x(Sr)=0.02~0.04时,PSN-PZN-PZT系统的综合性能最佳:压电常数d33=288~291pC/N,机电耦合系数kp=53.6%~59.1%,机械品质因数Qm=1 529~1 554,TC=254~265℃。
李建华
关键词:压电陶瓷准同型相界温度稳定性
柠檬酸盐聚合物前驱体法制备锆钛酸铅纳米复相陶瓷研究
2011年
采用聚合物前驱体法成功制备出PZT/ZrO2纳米复相陶瓷。烧结过程中ZrO2相从固溶体中析出,制备出内晶型纳米复相陶瓷。对物相、组成和微观结构进行了分析和研究。随ZrO2的加入量增加断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂。
李建华
关键词:纳米复相陶瓷
共2页<12>
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