- 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
- 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
- 唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
- 文献传递
- 分布式多元胞集成半导体放电管的设计与工艺
- 2012年
- 介绍了一种分布式多元胞集成半导体放电管的结构设计和工艺方法。在保持传统单元胞放电管器件表面总面积和放电管纵向剖面NPNPN五层结构不变的情况下,将放电管发射区等分成2(N+1)2个(N取0,1,2,3,4),构成在基区中心对称的多元胞结构。该结构优化了放电管阴极发射区的分布,使浪涌电流在整个芯片平面上趋于均匀,降低了发射区的热量集中效应;同时增加了电流放大系数,减少了放电管的开通时间。采用镓扩散、玻璃钝化等工艺流程,制作出分布式多元胞集成半导体放电管,解决了单元胞放电管散热不均匀、响应速度慢及可靠性差的问题。雷电波冲击电流测试表明,该结构提高了器件的抗电涌能力,可广泛应用于通信领域的雷电防护。
- 唐政维徐佳张志华左娇谢欢罗嵘
- 关键词：放电管半导体器件多元胞
- 分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
- 本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法，涉及半导体技术领域，本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分，分割成多个正方形的阴极发射区，将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
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