苏玉辉
- 作品数：10 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种喷射式微型J-T制冷器热交换性能的分析
- 2018年
- 对一种喷射式微型J-T制冷器的热交换性能进行研究分析,选用30MPa的氮气作为工质,截取温度对性能影响最大的部分,采用CFD软件FLUENT模拟研究其从启动到稳定工作时的温度的分部情况,寻找到提高热交换性能的方法,从换热的角度为后续改进制冷器的性能提供理论依据。
- 万志强李世芸苏玉辉黄子毅
- 关键词：热交换
- InAs/GaSbⅡ类超晶格与HgCdTe红外探测器的比较研究被引量：2
- 2012年
- HgCdTe、QWIP和InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景。
- 余连杰邓功荣苏玉辉
- 关键词：INASGASB红外探测器
- 噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨被引量：5
- 2009年
- 红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注。文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析。
- 苏玉辉龚晓霞雷胜琼杨文运
- 关键词：可靠性
- 热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制被引量：3
- 2013年
- 热释电红外探测器芯片研制中,晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器PZT晶片。
- 黄江平冯江敏王羽苏玉辉信思树李玉英
- 关键词：热释电红外探测器
- 红外探测器晶片背减薄抛光装置
- 本实用新型所述的红外探测器晶片背减薄抛光装置，包括下抛光盘，衬底，玻璃平板，压重块，挡圈和连接块，其特征在于晶片用光学胶粘接在衬底上，分离隔板用胶粘接在玻璃平板上，分离隔板有若干通孔，衬底未粘接晶片的面穿过分离隔板的通孔...
- 黄江平袁俊龚晓霞郭雨航苏玉辉冯江敏何雯瑾莫镜辉
- 文献传递
- 耐高过载冲击的红外探测器壳体组件
- 耐高过载冲击的红外探测器壳体组件，其特征在于：在壳体的底部，从底部的外表面到内表面制作一个与壳体同轴且内径依次减小的三级台阶孔，最小孔径的孔用于透过红外线，在中间孔径的台阶孔内安装红外窗口，红外窗口与中间孔径底面用光学胶...
- 袁俊苏玉辉冯江敏余黎静莫镜辉
- 文献传递
- 台面PN结InSb红外探测器响应时间研究被引量：4
- 2016年
- 分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p^+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了In Sb探测器的响应时间(0.3μs),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。
- 马启邓功荣苏玉辉余连杰信思树龚晓霞陈爱萍赵鹏
- 关键词：红外探测器量子效率
- 锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计被引量：4
- 2009年
- 通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件。实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间。实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合。此工作对离子注入工艺有一定的参考价值。
- 龚晓霞苏玉辉雷胜琼万锐敏杨文运
- 关键词：锑化铟离子注入
- Cd组分x对非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜暗电导的影响
- 2017年
- 利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K^300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响。当温度T>210 K时,随着Cd组分增加,暗电导减小;当温度T<210 K,随着Cd组分增加,则暗电导增大;当温度T=210 K时,暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加,薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0、0.22、0.50、0.66和1)薄膜中存在扩展态电导和局域态电导,Cd组分x越大,两种导电机制的转变温度Tm也越高。在T=300 K时,利用暗电导的激活能估算出了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率隙Eg,随着Cd组分x增加,迁移率隙Eg微弱减小。
- 余连杰史衍丽苏玉辉李雄军
- 关键词：非晶态半导体导电机制
- 热电制冷HgCdTe中波红外探测器的研制被引量：1
- 2017年
- 利用碲镉汞(HgCdTe)体晶材料,采用HgCdTe材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术,设计并研制出了热电制冷型13元HgCdTe中波红外光导探测器。在-50℃时,峰值电压响应率可达2.7×104 V/W,峰值探测率达到2.3×1010 cm·Hz1/2·W-1,响应波段在3.0~4.6mm之间,峰值响应波长为4.2mm。
- 苏玉辉冯江敏赵维艳龚晓霞马启邓功荣余连杰
- 关键词：红外探测器碲镉汞热电制冷
