邓兵
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金博士研究生创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- LED功率循环的实验方法与技术研究
- 随着半导体器件持续向高集成度、高频、大功率方向发展，器件功率密度的增加导致有源区工作温度升高会引发严重的可靠性问题。因此，人们对半导体器件的热设计提出了越来越高的要求。热设计问题贯穿于整个半导体器件设计、封装及可靠性评估...
- 邓兵
- 关键词：GAASHEMTLED热阻
- 文献传递
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性被引量：2
- 2014年
- 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。
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- 关键词：应力可靠性
- 基于热阻测量的PCB散热特性被引量：12
- 2014年
- 基于肖特基结电压随温度变化的特性,本文测量了真空下被测器件SiC二极管工作时PCB的热阻。通过测量SiC二极管的稳态加热响应曲线,进而利用其小电流下的温敏特性得到器件纵向热阻结构,分析出PCB的热阻。研究了不同覆铜量,不同热过孔直径的PCB的散热特性。实验结果表明,增加覆铜量能明显减小PCB的热阻。覆铜量相同时,PCB上增加热过孔能显著减小其热阻,并且PCB的热阻随着热过孔直径的增大而减小。通过有限元ANSYS软件仿真了不同覆铜量,不同热过孔直径的PCB温升,其结果与实验结果一致。
- 贾京冯士维邓兵孟庆辉张亚民
- 关键词：PCB热阻ANSYS仿真散热
- 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法
- 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法属于半导体LED照明和显示可靠性设计和考核技术领域。本发明的主要发明点在于：在实际LED灯具中，选取、隔离部分LED作为测温元件，设计了控制外部灯具电源的同步开关方式和装置，利用瞬态温...
- 冯士维史冬邓兵郭春生朱慧
- 文献传递
- 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
- 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置属于微电子技术中，半导体器件测量技术领域。本发明设计了控制信号控制的快速切换开关；漏源电压切断与栅压由反偏转为正偏的延时精确地由FPGA控制模块设定及输出；正向测试电流下，肖特...
- 冯士维邓兵岳元马琳郭春生
- 文献传递
- 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法
- 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法属于半导体LED照明和显示可靠性设计和考核技术领域。本发明的主要发明点在于：在实际LED灯具中，选取、隔离部分LED作为测温元件，设计了控制外部灯具电源的同步开关方式和装置，利用瞬态温...
- 冯士维史冬邓兵郭春生朱慧
- 文献传递
- 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置
- 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置属于微电子技术中，半导体器件测量技术领域。本发明设计了控制信号控制的快速切换开关；漏源电压切断与栅压由反偏转为正偏的延时精确地由FPGA控制模块设定及输出；正向测试电流下，肖特...
- 冯士维邓兵岳元马琳郭春生
- 热阻测试技术在微波和LED器件应用与实现的研究
- 随着半导体器件持续向高集成度、高频、大功率方向发展，器件功率密度的增加导致有源区工作温度升高会引发严重的可靠性问题。因此，人们对半导体器件的热设计提出了越来越高的要求。热设计问题贯穿于整个半导体器件设计、封装及可靠性评估...
- 邓兵
- 关键词：LED器件微波器件优化设计
