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吴茂阳

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低阻
  • 2篇非晶硅
  • 2篇TCR
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇输出电阻
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外-可见光...
  • 1篇磷掺杂
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光谱
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇吴茂阳
  • 2篇蒋亚东
  • 2篇傅俊威
  • 1篇祁康成
  • 1篇邱毅娇
  • 1篇李伟
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
RF-PECVD法制备a-Si_(1-x)C_x:H薄膜的光学性能研究被引量：2
2011年
以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析。结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-SiC:H薄膜的光学带隙反而略有减小。
邱毅娇李伟吴茂阳傅俊威蒋亚东
关键词：PECVD紫外-可见光谱光学性能
低阻高TCR非晶硅薄膜制备及性能研究
非晶硅(a-Si)薄膜因其光吸收系数高、容易可控掺杂、可高速大面积沉积、与半导体工艺兼容等优点，在薄膜太阳能电池、TFT-LCD、非制冷红外焦平面阵列、航天遥感遥测等领域具有广阔的应用前景。然而，非晶硅薄膜的电导率较低，...
吴茂阳
关键词：非晶硅薄膜退火温度光电性能
文献传递
一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻及其制备方法
本发明公开了一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法，包括玻璃衬底1、非晶硅薄膜2、矩形电极3，先在玻璃衬底1上沉积非晶硅薄膜2，随后在非晶硅薄膜2上制备矩形电极3，电极结构分布如同形成形状像两只手的手指交叉状，即...
李伟傅俊威吴茂阳蒋亚东祁康成
文献传递
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