周曦
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响
- 2014年
- 利用离子束溅射制备双层Ge/Si量子点,通过变化Si隔离层厚度和Ge沉积量研究了埋层应变场对量子点生长的影响。实验中观察到隔离层厚度较薄时,双层结构中第2层量子点形成的临界厚度减小,生长过程提前;此外,随着Ge沉积量的增加,第2层量子点密度维持在一定范围,分布被调制的同时岛均匀长大呈现单模分布。增大隔离层厚度,埋层岛的生长模式在第2层岛生长时得到复制。通过隔离层传递的不均匀应变场解释了量子点生长模式的变化。
- 周曦王茺杨杰靳映霞杨宇
- 关键词：离子束溅射
- C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响
- 2014年
- 采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用AFM和Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差;此时,量子点中的Si组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善;此时,量子点中的Si含量降低。
- 刘鹏强王茺周曦杨杰杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点扩散
- 溅射生长双层Ge/Si量子点的研究
- 在Si基片上自组织生长Ge/Si量子点，能够表现出许多独特的光学及电学性质，利用这种材料制作的新型器件在未来的微电子和光电子领域将发挥重要的作用。此外，由于具备与成熟的硅集成电路工艺相兼容的优势，所以Ge/Si量子点材料...
- 周曦
- 关键词：离子束溅射量子点隔离层自组织生长
