王志
- 作品数：12 被引量：13H指数：3
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- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 非制冷红外焦平面微桥形变的主要原因及其控制被引量：1
- 2012年
- 微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分,经微细加工工艺制成的微桥结构常常发生弯曲变形,从而严重影响器件性能。利用有限元分析方法研究了造成微桥变形的原因。结果表明,重力导致的微桥形变值仅为1.44×10-5μm,而薄膜的本征应力导致的形变值却高达2.108μm,与实际观测值相当。因此,本征应力是造成微桥变形的主要原因。此外,还研究了本征应力梯度导致的形变,并提出了采用在电极的表面再沉积一层SiNx薄膜的方法,使桥腿的形变值由0.587μm明显地减小到0.271μm,有效地控制了本征应力梯度导致的桥腿变形。
- 樊泰君许向东王志敖天宏马淑敏黄龙杨卓蒋亚东陈超
- 关键词：形变有限元分析
- 红外焦平面微桥结构的优化研究
- 微测辐射热计非制冷红外探测器具有体积小、重量轻以及成本低的优点，在民用以及军事领域有着广泛的应用。微桥是微测辐射热计阵列像元的重要部分，它对像元的光学、热学以及力学性能有重要影响。 本论文分别采用物理模型的解析解和有限...
- 王志
- 关键词：微测辐射热计红外焦平面微桥结构热学性能力学性能
- 文献传递
- 一种微测辐射热计及其制备方法
- 一种微测辐射热计，包括微桥结构，该微桥结构中的热敏电阻材料和红外吸收材料层为碳纳米管-非晶硅复合膜，该碳纳米管-非晶硅复合膜是由一维碳纳米管和两维非晶硅薄膜复合而成，另该微桥结构为三层夹心结构：最底层是非晶氮化硅薄膜，作...
- 许向东蒋亚东周东杨书兵王志王晓梅
- 一种非制冷微测辐射热计及其制备方法
- 本发明公开了一种非制冷微测辐射热计，包括用于非制冷探测器的微测辐射热计微桥结构，该微桥结构中的热敏电阻材料和光吸收材料为氧化钒-碳纳米管复合膜，该氧化钒-碳纳米管复合膜是由一维碳纳米管和两维氧化钒薄膜复合而成，另该微桥结...
- 许向东蒋亚东周东王志杨书兵杨洋吴志明何少伟
- 文献传递
- 热应力对非制冷红外焦平面微桥的影响及控制研究被引量：5
- 2011年
- 非制冷红外焦平面阵列的微桥结构在微加工工艺中,由于温度的剧烈变化,在薄膜中产生热应力而引起微桥的变形,将对器件产生不利影响。利用有限元分析方法,对微桥在热应力作用下产生的变形进行了分析,提出了两种控制热应变的途径:1)选择一种低热膨胀系数、低杨氏模量的电极材料;2)在电极材料的表面沉积一层SiNx薄膜。仿真结果表明,两种途径使微桥的最大形变值从1.4740μm分别减小到0.4799μm和0.0704μm,达到了减小热应变的目的。
- 王志许向东周东杨卓蒋亚东陈超
- 关键词：非制冷红外焦平面阵列热应力有限元分析微桥结构形变
- 双层红外微测辐射热计的微桥结构仿真被引量：4
- 2012年
- 非制冷红外探测器具有广阔的军事和民用前景。近年来,出现了一类性能优越的新型双层微测辐射热计型红外探测器。利用有限元分析方法和光学导纳矩阵法详细研究了两种类型的双层微测辐射热计的主要性能。结果表明,双层微测辐射热计的综合性能优于单层微测辐射热计。其中,双层S型结构的温升最优,但其力学稳定性较差,难以满足实践需要;双层U型结构的温升虽低于双层S型结构的温升,但明显优于单层微桥;重要的是,双层U型结构在光吸收性能、力学稳定性、器件制造等方面均优于双层S型结构。所以,双层U型结构的综合性能更优。还设计了一种综合性能更优的改进型双层U型结构。
- 杨卓许向东敖天宏王志樊泰君黄龙蒋亚东陈超
- 关键词：非制冷红外探测器有限元分析
- 一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法
- 本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②把事先制备好的原始、或已经功能化处理的碳纳米管放在烧杯当中，与有机溶剂混合，超声分散，然后，把分散液转移到经清洁...
- 许向东蒋亚东周东王志杨书兵吴志明何少伟
- 氮化硅薄膜的应力与性能控制被引量：3
- 2010年
- 提出一种通过构建特殊的多层膜结构的方法,降低SiNx薄膜的残余应力。曲率和拉曼两种测量结果都表明,通过引入一层240nmSiO2薄膜,可以使SiNx薄膜的残余应力从高的张应力(+358MPa)明显地降低到低的压应力(-57MPa)。重要的是,这种应力的改变能够使薄膜在光学带隙保持不变的情况下,SiNx薄膜的折射率发生增大,取得常规方法难以达到的效果。遗憾的是,该过程同时使SiNx薄膜的杨氏模量和硬度等力学性能减弱。此外,还把相关结果与常规方法调控SiNx薄膜应力的结果相比较。证明了通过改变SiN薄膜的应力可以调控薄膜的其它物理性能。
- 周东许向东王志王晓梅蒋亚东
- 关键词：残余应力光学带隙折射率
- 一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法
- 本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①清洗衬底，吹干后备用；②把事先制备好的原始、或已经功能化处理的碳纳米管放在烧杯当中，与有机溶剂混合，超声分散，然后，把分散液转移到经清洁...
- 许向东蒋亚东周东王志杨书兵吴志明何少伟
- 文献传递
- 用于微测辐射热计氮化硅薄膜特性与结构研究被引量：1
- 2010年
- 氮化硅(SiNx∶H)薄膜通常用作微测辐射热计焦平面阵列的支撑层、绝缘或隔热层。通过射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备了富硅型(0.80≤x≤1.16)氮化硅薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外透射光谱(FTIR)分析了薄膜的微观结构。发现薄膜内部保存了Si3N4基本结构单元,除此之外,波数位于790,820和950 cm-1的Si-N键的伸缩振动峰分别对应为Si3-Si-N,N2-Si-H2,及H-Si-N3结构单元;运用曲率方法测量了不同硅烷(SiH4)流量条件下制备的氮化硅薄膜样品的残余应力,发现薄膜应力一般表现为张应力,但随着硅烷流量的增大,薄膜的张应力减小。理论分析发现,H-Si-N3结构单元使薄膜呈现张应力,而Si3-Si-N结构单元以及Si-Si键相对地表现为压应力。因此,通过优化制备工艺,获取理想的薄膜微观结构,能更理性地调控薄膜的残余应力。
- 周东许向东王志王晓梅蒋亚东
- 关键词：氮化硅薄膜残余应力微观结构
