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高桦

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:甘肃省科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇势垒
  • 4篇肖特基
  • 4篇二极管
  • 3篇功率
  • 3篇硅基
  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇肖特基整流器
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇性能对比
  • 1篇有效面积
  • 1篇终端结构
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇结型
  • 1篇结型场效应
  • 1篇结型场效应晶...
  • 1篇晶体管

机构

  • 6篇兰州大学

作者

  • 6篇高桦
  • 5篇刘肃
  • 2篇李海蓉
  • 1篇邓恒
  • 1篇淮永进
  • 1篇王武汉
  • 1篇安彪
  • 1篇唐晓琦

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2016
  • 2篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
栅条状和蜂窝状结构结势垒肖特基整流器(JBSR)性能对比
2016年
栅条状和蜂窝状平面结构的结势垒肖特基整流管(JBSR)的不同之处在于其沟道有效面积的大小不同。从这两种平面结构的结势垒肖特基整流管(JBSR)的工艺和电学特性来看,适当的增大JBSR器件的沟道有效面积,可使JBSR器件的击穿电压得到提高。蜂窝状平面结构JBSR器件的沟道有效面积较栅条状器件的小,开启电压低,但反向耐压不如栅条状平面结构JBSR器件,这可能是因为蜂窝状器件的P+区的缺陷较于栅条状结构器件的多,同样器件的I-V特性也与结构参数密切相关。
高桦柴彦科刘肃
关键词:电学特性蜂窝状
硅基功率JBS/MPS肖特基整流器的研制
为拓宽硅基肖特基整流器在中高压和大功率器件领域的应用市场,新型的肖特基整流器(即结势垒肖特基整流器或混合 p in/肖特基整流器,简称为JBS/MPS整流器)结构被提出。这两种新型肖特基整流器分别将 p-n结或 p in...
高桦
10A-20A 600V功率JBS肖特基整流管的研制
刘肃李海蓉安彪蒲耀川王武汉张晓情淮永进唐晓琦陈菩祥高桦柴彦科
项目完成考核指标: 该项目研制和开发的10A-20A 600 JBS肖特基整流管(采用TO-220塑封),在正向电流10A时,正向压降不大于1.15V;正向电流20A,正向压降不大于1.3V;反向击穿电压在反向漏电流不大...
关键词:
关键词:二极管封装技术
一种结势垒肖特基二极管
本发明公开一种结型势垒肖特基二极管。本发明同时提供这一器件的制备方法。本发明的结势垒肖特基二极管,包括依次层叠设置的背面金属、Si衬底、外延层、位于外延层上的若干个同心p+圆环和其之间的掺杂区、位于外延层上的硅化层、位于...
刘肃高桦邓恒谭稀柴彦科
文献传递
10A/600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备被引量:1
2014年
为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P+-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管(JBS),终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验,同步制备肖特基二极管(SBD)和Pi N二极管作为对比。结果表明:制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和Pi N二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10-5A/cm2时,反向耐压达到600 V;正向电流10 A(80.6 A/cm2)时,导通压降仅为1.1V。
陈菩祥高桦李海蓉刘肃
关键词:肖特基二极管场限环V
一种新型硅基恒流二极管的特性研究被引量:2
2016年
提出了一种新型硅基环状分布垂直沟道恒流二极管,包括并联的结型场效应晶体管和PIN整流管。建立了器件的数值模型,并利用SILVACO TCAD仿真工具对器件的恒定电流值、击穿电压等特征参数进行模拟。结果显示,该器件工作于正向时,恒流效果好,开启电压约为3V,击穿电压可达140V;该器件工作在反向时,表现出良好的整流特性,开启电压约为0.8V。
柴彦科高桦刘肃
关键词:恒流二极管结型场效应晶体管击穿电压
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