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刘利芳

作品数：14 被引量：3H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家电子信息产业发展基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 10篇存储器
  • 5篇闪存
  • 4篇阵列
  • 4篇阵列结构
  • 4篇快闪存储器
  • 4篇存储密度
  • 3篇电荷
  • 3篇电路
  • 3篇栅结构
  • 3篇芯片
  • 3篇俘获
  • 3篇编程
  • 2篇电荷泵
  • 2篇电路功耗
  • 2篇氧化层
  • 2篇陷阱电荷
  • 2篇芯片面积
  • 2篇介质层
  • 2篇晶体管
  • 2篇功耗

机构

  • 14篇清华大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇刘利芳
  • 10篇潘立阳
  • 2篇刘铭
  • 2篇陈志良
  • 2篇贾晨
  • 2篇陈亮
  • 2篇钟辉明
  • 2篇秦波
  • 2篇肖雯玉
  • 1篇陈弘毅
  • 1篇杨大为
  • 1篇陆虹
  • 1篇谯凤英

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇微处理机

年份

  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种混合非挥发快闪存储器及其存储系统
本发明提供一种混合非挥发快闪存储器，该存储器的存储单元包括：位于所述半导体衬底上的沟道区，位于所述沟道区之上的由隧穿氧化层、氮化硅层、阻挡氧化层及多晶硅栅极层依次排列形成的栅极，以及位于所述栅极第一边缘处所述半导体衬底中...
潘立阳刘利芳
文献传递
陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构及其操作方法
本发明提供一种陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构，包括：衬底以及形成在衬底上的二维存储器阵列结构。其中，二维存储器阵列结构包括：沿第一方向的多个并行排列的存储单元列，每个存储单元列包括多个存储单元，每个存储单元为硅-氧化层...
潘立阳刘利芳
文献传递
一种混合非挥发快闪存储器及其存储系统
本发明提供一种混合非挥发快闪存储器，该存储器的存储单元包括：位于所述半导体衬底上的沟道区，位于所述沟道区之上的由隧穿氧化层、氮化硅层、阻挡氧化层及多晶硅栅极层依次排列形成的栅极，以及位于所述栅极第一边缘处所述半导体衬底中...
潘立阳刘利芳
陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构及其操作方法
本发明提供一种陷阱电荷俘获型快闪存储器阵列结构，包括：衬底以及形成在衬底上的二维存储器阵列结构。其中，二维存储器阵列结构包括：沿第一方向的多个并行排列的存储单元列，每个存储单元列包括多个存储单元，每个存储单元为硅-氧化层...
潘立阳刘利芳
闪存高压电路的总剂量辐射效应研究
2014年
研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应(TID)。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究,表明辐照后高压通路相关的存储阵列及高压晶体管漏电将造成电荷泵电路的负载电流过载失效,最终导致闪存电路编程或擦除操作失效。
杨大为刘利芳谯凤英陆虹潘立阳
关键词：闪存高压电路电荷泵总剂量辐射
多位非挥发存储器及其操作方法
本发明提供一种多位非挥发存储器及其操作方法，该存储器包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的沟槽；形成在所述半导体衬底中、所述沟槽两侧的源区和漏区；形成在所述沟槽的下侧壁和底壁上的第一隧穿介质层，形成在所述第一隧穿介质...
潘立阳刘利芳
文献传递
存储器阵列结构及其操作方法
本发明提供一种存储器阵列结构及其操作方法，该结构包括：沿第一方向和第二方向并行排列的多个串行结构，每个串行结构包括在第一方向上顺次串联的一个第一选择晶体管、多个存储单元以及一个第二选择晶体管，存储单元逻辑上等效为一个选择...
潘立阳刘利芳
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小型便携电子设备中电荷泵升压电路的研究
刘利芳
存储器阵列结构及其操作方法
本发明提供一种存储器阵列结构及其操作方法，该结构包括：沿第一方向和第二方向并行排列的多个串行结构，每个串行结构包括在第一方向上顺次串联的一个第一选择晶体管、多个存储单元以及一个第二选择晶体管，存储单元逻辑上等效为一个选择...
潘立阳刘利芳
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多位非挥发存储器及其操作方法和形成方法
本发明提供一种多位非挥发存储器及其操作方法和形成方法，该存储器包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的沟槽；形成在半导体衬底上且位于所述沟槽两侧的源区和漏区，所述源区和漏区的材料包括禁带宽度小于硅的半导体材料；和形成在...
潘立阳刘利芳
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