张洁
- 作品数：4 被引量：18H指数：2
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程冶金工程更多>>
- SPS脉冲电流在氮化硅烧结中的作用被引量：1
- 2007年
- 对电流在氮化硅陶瓷放电等离子烧结过程中的作用进行了研究,采用放电等离子烧结工艺,分别对含助烧剂(Y2O3/MgO)氮化硅(α-Si3N4)粉体,以及用纯氮化硅粉体包覆的含助烧剂粉体进行了烧结;并且考虑到包覆层引起的试样烧结温度的差异,在较低温度进行了无包覆试样烧结。实验结果表明:包覆层明显抑制了氮化硅陶瓷的相转变及晶粒生长。通过与低温烧结试样进行对比,排除了包覆层引起的温度差异的影响,认为是SPS电场在氰化硅的烧结过程中通过导电的液相形成电流,促进了溶解在液相中的氮化硅的扩散,从而加快了相转变及柱状晶生长这些和溶解析出相关的过程。
- 马四华宁晓山张洁陈克新周和平
- 关键词：放电等离子烧结SPS氮化硅脉冲电流
- YF3助烧剂氮化硅的烧结及力学性能
- 以不同含量的YF3和MgO作为烧结助剂，对Si3N4进行热压烧结，研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷的相对密度、烧结反应、稀土元素分布以及硬度、强度和断裂韧性等力学性能的影响。实验结果表明，仅添加YF3的样品生成了YSiON...
- 滕甫宁晓山张洁陈兆同
- 关键词：氮化硅陶瓷力学性能
- YF_3助烧剂氮化硅的烧结及力学性能被引量：3
- 2009年
- 以不同含量的YF3和MgO作为烧结助剂,对Si3N4进行热压烧结,研究了烧结助剂含量对氮化硅陶瓷的相对密度、烧结反应、稀土元素分布以及硬度、强度和断裂韧性等力学性能的影响。实验结果表明,仅添加YF3的样品生成了YSiON四元化合物,而同时添加MgO的样品生成MgYSiO四元化合物;样品的抗弯强度随YF3和MgO添加量的增加而增加,最高可以达到959MPa;而硬度则随着YF3的增加从20GPa降低;添加2%YF3(质量分数)氮化硅陶瓷的断裂韧性在(5.5～5.8)×105MPa.m1/2之间,随MgO添加量变化不大。
- 滕甫宁晓山张洁陈兆同
- 关键词：SI3N4力学性能
- 含稀土助烧剂氮化硅陶瓷的热导率、强度及电学性能被引量：16
- 2008年
- 高热导率氮化硅陶瓷作为基板材料有着广泛的应用前景。如何在尽可能保持氮化硅陶瓷机械性能的前提下,提高其热导率是其实际应用的关键,而选择适当的烧结助剂是提高热导率的一个重要途径。本文研究了稀土氧化物种类及CaO、MgO烧结助剂对氮化硅陶瓷的热导率及电学和机械性能的影响,分别采用Y_2O_3-MgO,Y_2O_3-CaO,CeO_2-MgO,CeO_2-CaO,La_2O_3-MgO和La_2O_3-CaO 6种烧结助剂,采用放电等离子烧结后热处理的工艺制备氮化硅陶瓷。研究结果表明:氮化硅陶瓷的热导率随着烧结助剂稀土元素阳离子半径的增大有减小的趋势;与添加MgO助烧结相比,添加CaO助烧结不利于氮化硅柱状晶的生长,热导率及强度普遍较低,但硬度较高。采用Y_2O_3-MgO助烧剂和适当的烧结工艺,可以得到热导率高于80W/m·K、抗弯强度大于1000 MPa、体电阻率大于1×10^(13)Ω·m、介电常数小于10、介电损耗小于3×10^(-3)的氮化硅陶瓷。
- 张洁宁晓山吕鑫周和平陈克新
- 关键词：氮化硅稀土氧化物热导率抗弯强度
