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一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法: 本发明公开了一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法。其特点在于将上转化稀土氟化物材料NaYF4:Yb3+，Er3+与CuO电极进行复合，在980n...; 刘润张玺; 文献传递

采用电沉积六方相NaGdF4低温诱导制备六方相NaYF4:Yb,Er材料的方法: 本发明公开了一种采用电沉积六方相NaGdF4低温诱导制备六方相NaYF4:Yb,Er材料的方法。它的步骤如下：1)对ITO导电玻璃进行清洗和活化；2)向乙二胺四乙酸二钠与钆离子...; 刘润张利洁张玺; 文献传递

一种新颖的悬浮式生物芯片检测技术被引量：2: 2005年; 讨论了一种能对悬浮式生物芯片进行宽通道快速检测的分析测试技术,它根据微球探针的直径和微球探针之间的统计距离,设计了待测试液的特殊流场。利用脉冲激光激发微球探针上的荧光,配合高灵敏度的CCD检测荧光信息,计算机对各个CCD记录的荧光信息进行后期处理,获得悬浮式生物芯片中微球探针上的全部信息,实现了宽通道快速检测。; 张玺倪旭翔陆祖康

一种三维合成场景数据生成系统和方法: 本发明公开了一种三维合成场景数据生成系统和方法，包括存储有三维室内场景模型的数据库，场景获取模块，用于接收上传的三维室内场景或基于筛选条件从数据库中筛选三维室内场景并可视化呈现；实体标签化模块，用于对三维室内场景进行实体...; 郑家祥张玺

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究被引量：1: 2023年; 研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面:水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。; 张玺张玺张序清王明华高煜王蓉杨德仁王蓉; 关键词：研磨金刚石磨料分散介质

采用在氮气气氛下高温煅烧来减小电沉积CuO电极带隙的方法: 本发明公开了一种采用在氮气气氛下高温煅烧来减小电沉积CuO电极带隙的方法。利用廉价的氮气气氛在管式炉可控高温温度下，对阳极恒电流电沉积制备所得CuO电极进行退火处理，经过紫外透射测试计算，500℃的氮气中退火的CuO电极...; 刘润张玺; 文献传递

CuO与CuO-NaYF4:Yb/Er复合电极的构建及其光电化学性能研究: 太阳能的转化及氢能应用是实现绿色可持续发展的重要途径。具有窄带隙的CuO半导体材料和能量上转换性能的NaYF4:Yb/Er发光材料近年来受到了研究人员的广泛关注。　　本论文主要考察了焙烧气氛及温度对电沉积的CuO光电极的...; 张玺; 关键词：复合电极电沉积光电化学性能

一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法: 本发明公开了一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法。其特点在于将上转化稀土氟化物材料NaYF4:Yb3+，Er3+与CuO电极进行复合，在980n...; 刘润张玺; 文献传递

采用电沉积六方相NaGdF4低温诱导制备六方相NaYF4:Yb,Er材料的方法: 本发明公开了一种采用电沉积六方相NaGdF4低温诱导制备六方相NaYF4:Yb,Er材料的方法。它的步骤如下：1)对ITO导电玻璃进行清洗和活化；2)向乙二胺四乙酸二钠与钆离子...; 刘润张利洁张玺; 文献传递

采用在氮气气氛下高温煅烧来减小电沉积CuO电极带隙的方法: 本发明公开了一种采用在氮气气氛下高温煅烧来减小电沉积CuO电极带隙的方法。利用廉价的氮气气氛在管式炉可控高温温度下，对阳极恒电流电沉积制备所得CuO电极进行退火处理，经过紫外透射测试计算，500℃的氮气中退火的CuO电极...; 刘润张玺; 文献传递

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张玺