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方玲: 作品数：10 被引量：17H指数：3; 供职机构：安泰科技股份有限公司更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程一般工业技术理学电子电信更多>>

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硫化对Cu-In预制膜微结构的影响: 2008年; 采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪（XRD）表征了薄膜的组织结构。结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿（112）面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。; 阎有花刘迎春方玲赵海花朱景森李德仁卢志超周少雄

硫化温度对CuInS_2吸收层薄膜微结构的影响被引量：4: 2008年; 摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和，组分进行了表征。结果表明：在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相，后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向，适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。; 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄; 关键词：硫化温度

氩气压力对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响被引量：1: 2011年; 在普通玻璃衬底上利用掺杂2%（质量）Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌（ZnO∶Al,AZO）薄膜。利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力（0.73~2.0 Pa）对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响。随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋势,在0.83 Pa时,AZO薄膜的电阻率为6.91×10-4Ω.cm,在波长400~800 nm间的平均透过率超过86%。研究结果表明,Ar气压力对于AZO薄膜的导电性是一个敏感的参数,Ar气压力影响在薄膜沉积过程中氧空位的形成和分布,从而影响薄膜的导电性。; 张承庆胡小萍朱景森方玲李德仁卢志超周少雄; 关键词：中频磁控溅射 AZO薄膜 XPS

电沉积/硫化法制备CuInS_2薄膜微结构研究被引量：3: 2010年; 以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好。当速度为3.3v0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。; 阎有花刘迎春方玲李德仁卢志超周少雄李正邦; 关键词：微结构

硫分压对光吸收层CuInS_2薄膜性能的影响被引量：3: 2009年; 在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r=1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016cm-3,光学带隙在1.53eV左右。; 阎有花刘迎春方玲卢志超周少雄李正邦; 关键词：硫化法微结构

功率密度对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响被引量：1: 2011年; 利用中频磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积掺铝氧化锌(ZnO∶A l,简称AZO)薄膜,通过调整溅射功率密度参数得到沉积速率与功率密度之间的关系,制备了不同厚度的AZO薄膜。利用台阶仪、XRD、XPS、紫外可见分光光度计和H all测试系统等方法研究了功率密度与厚度对AZO薄膜结构、组分、光学和电学性能的影响。实验结果表明,功率密度为4W/cm2、薄膜厚度为739nm时薄膜的综合性能较好,其电阻率为1.136×10-3Ω.cm,可见光区的平均透过率为90.5%。改善结晶质量能显著提高AZO薄膜的光电性能。; 张承庆胡小萍朱景森方玲李德仁卢志超周少雄; 关键词：功率密度中频磁控溅射

Growth of CuI buffer layer prepared by spraying method: 2011年; CuI thin films with nano-scale grains of about 35nm were deposited via spraying method with using acetonitrile as solvent. The influence of iodine doping concentration in acetonitrile solution on the structure, topographic and optical properties of CuI thin films was investigated. X-ray diffraction results showed that CuI iodine-doped films doped CuI：I2 were in γ-phase of zinc blende structure with （111） preferential plane. Scanning electron microscopy revealed that the microstructure of CuI films depended on the relative amount of doping iodine in the solution. When the iodine doping amount in acetonitrile solution was 0.025 g, the film was uniform and compact, the optical transmittance was 75.4% in the part of visible region and the energy band gap was close to 2.96 eV.; 阎有花刘迎春方玲卢志超李正邦周少雄

CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变研究被引量：6: 2008年; 为考察CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变规律,采用电沉积法制备Cu-In前驱膜,并对前驱膜进行真空退火热处理。采用SEM和EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征薄膜组织结构。结果表明,Cu-In前驱膜以CuIn,CuIn2和Cu混合相存在;157℃真空退火10min,发生第一次相变生成Cu11In9相;310℃真空退火10min,发生第二次相变生成Cu7In3相。富Cu的Cu-In前驱膜结构相变受动力学边界条件所控制。; 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄; 关键词：真空退火结构相变

Cu_7In_3前驱膜制备(112)择优取向CuInS_2薄膜被引量：1: 2008年; 为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu_7In_3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu-In薄膜和Cu_7In_3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成Cu_xS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu_7In_3为前驱膜制备的CuInS_2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。; 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄; 关键词：太阳电池

氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响: 2010年; 采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。; 侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森阎有花李艳萍卢志超周少雄; 关键词：硫化氧太阳电池

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