罗长得
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管被引量：5
- 2013年
- 针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分析了其可行性.利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管,并对不同GaN垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析,结果表明沿n-GaN到p-GaN方向减小GaN垒层厚度能实现双蓝光发射,并有较好的发光效率.交流阻抗谱结果显示相关双蓝光波长发光二极管可以用一个电阻Rp与电容Cp并联后与一个Rs串联电路来模拟,GaN垒层变化能调节并联电阻和电容,对串联电阻没有影响.此外,基于垒层减小的双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+荧光粉实现了高显色指数的白光发射.
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- 关键词：GANINGAN
- 低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
- 2013年
- 采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果表明,这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变AlGaN量子阱垒层的Al组分,调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下较稳定,而Al组分为0.09时,光谱只在40～100 mA电流范围内较稳定.
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- 关键词：发光二极管
- GaN基蓝光LED的极化效应调控与结构设计
- Ⅲ-Ⅴ族发光二极管由于其在全彩显示，液晶背光源，手机背光源，照明等领域中的广泛应用而吸引了巨大的关注，在室外照明和固态照明中高效率的InGaNLED被认为是照明市场中最重要的一块，可是Ⅲ-Ⅴ LED的广泛应用仍遇到了不少...
- 罗长得
- 关键词：蓝光发光二极管光电特性
- 一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用
- 本发明提供了一种GaN基宽蓝光波长LED外延片及其应用，其目的在于解决窄蓝光波长芯片激发黄光荧光粉封装白光LED的显色性不足的问题。该InGaN/GaN多量子阱宽蓝光波长LED外延结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、Ga...
- 章勇肖汉章李正凯罗长得
- 文献传递
- 光谱稳定的InGaN基双蓝光波长发光二极管及其应用研究
- 目前GaN基单蓝光芯片激发YAG:Ce3+黄光荧光粉的白光LED在低色温情况下存在显色性低的问题,提出在同一蓝宝石衬底上外延生长蓝绿光和蓝紫光发射的双蓝光发射芯片结构,并对其在高显色性白光LED封装领域应用进行研究.对于...
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- 关键词：白光LED显色指数
