郝斌魁
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响被引量：2
- 2006年
- 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.
- 郝斌魁姜雪宁张庆瑜陈充林
- 关键词：基片温度X射线衍射原子力显微镜
- 掺杂CeO<,2>电解质薄膜的磁控溅射制备工艺探索
- 掺杂CeO2基电解质材料替代传统的YSZ电解质材料是发展中温固体氧化物燃料电池的趋势，是目前SOFC领域的研究热点之一。掺杂浓度为10﹪～20﹪左右的Gd2O3掺杂的CeO2(GDC)电解质因在400-700℃温度下具有...
- 郝斌魁
- 关键词：薄膜生长固体氧化物燃料电池电解质薄膜
- 文献传递
