侯俊峰
- 作品数：9 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院粉末冶金国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程冶金工程电子电信更多>>
- 流化床技术制备粒状多晶硅的研究进展被引量：2
- 2012年
- 概述流化床技术制备粒状多晶硅的研究进展,简介粒状多晶硅的生长机制和物理性能,阐述流化床技术在多晶硅生产领域的发展方向。
- 侯俊峰武在军王耀挺毕明峰
- 关键词：流化床
- 两步熔盐合成技术制备片状SrTiO_3晶体被引量：2
- 2008年
- 采用两步熔盐法制备钙钛矿结构的片状SrTiO。晶体，利用XRD、SEM等手段研究了Sr3Ti2O2和SrTiO3晶粒的形成过程和微观形貌。结果表明，在SrCO3-TiO2-KCI体系中，片状Sr3Ti2O7的形成分两步进行，先由SrCO3、TiO2反应生成细小的Sr3Ti2O7相颗粒，再通过溶解一析出反应进行晶粒取向性生长，最终成为以（001）为主面的片状晶粒。1200℃保温4h后得到长10～20μm、厚约3μm的片状Sr3Ti2O7晶体。在Sr3Ti2O7-TiO2-KCl体系中，发现含Ti、Sr、O、K的晶须状中间化合物，同时出现较多等轴状SrTiO3颗粒，而且片形SrTiO3晶体较其前驱体Sr3Ti2O7有所增厚。这表明片形SrTiO3晶体的形成主要是Sr3Ti2O7因Sr、O析出产生切变而成，TiO2能够促进Sr3Ti2O7中Sr、O的析出，KCI熔盐同时起着传质介质和反应助剂的作用。
- 李志友侯俊峰张晓泳周科朝
- 关键词：SRTIO3片状晶体
- 熔盐合成技术制备片状(Sr,Ba)TiO_3晶粒被引量：6
- 2007年
- 以KCl为助熔剂,采用熔盐合成技术制备片状(Sr,Ba)TiO3晶粒,研究不同前驱体及反应方式对产物相组成和形貌的影响。结果表明:BaO与片状SrTiO3反应可获得以(Sr,Ba)TiO3为主相的产物,产物相在SrTiO3表面无规则析出且非取向长大,经烧结后形成片状多晶团聚体;片状Sr3Ti2O7与BaO和TiO2反应所得产物也以(Sr,Ba)TiO3为主,同时生成少量(Sr,Ba)3Ti2O7相,产物中除片状(Sr,Ba)TiO3晶粒外,还通过Sr2+置换由BaO与TiO2反应所得块状BaTiO3晶粒中的Ba2+、以及反应物溶解?反应?析出生成许多块状和无规则状小晶粒;对于两步合成工艺,Sr3Ti2O7先与BaO反应可得到片状(Sr,Ba)3Ti2O7,与TiO2二次反应后得到片状(Sr,Ba)TiO3晶粒;由于此方式没有生成块状BaTiO3这一过程,产物中非片状晶粒数量大幅度减少。
- 张晓泳周科朝李志友侯俊峰
- 掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展被引量：5
- 2009年
- 掺锡氧化铟纳米粉体由于其独特的性能，在电光领域得到广泛应用。概述了制备纳米级掺锡氧化铟粉末的主要方法，并阐述了不同合成方法的工艺及特点，同时指出了高品质掺锡氧化铟粉末制备的发展趋势。
- 孙本双侯俊峰李军义周科朝
- 关键词：前驱体
- 熔盐法合成片状SrTiO/_3的研究
- 驰豫铁电体xPb/(Mg/_/(1／3/)Nb/_/(2／3/)/)O/_3—/(1-x/)PbTiO/_3/(PMN-PT/)具有压电常量高、机电耦合系数大等优点，在超声成像、声纳及换能器等领域有非常广泛的应用前景。/...
- 侯俊峰
- 文献传递
- 高固相含量纳米ITO水基浆料流变性能的研究
- 2013年
- 以PAA为分散剂制备高固相含量纳米ITO水基浆料，研究了pH值、分散剂用量、固相含量对浆料流变性能的影响。结果表明：PAA对改善纳米ITO粉体的表面电动特性有显著作用，PAA的加入使粉体Zeta电位从-16mV降到-38mV；高固相含量的浆料均呈现出明显的剪切变稀行为；浆料粘度随固相含量增加而急剧增大；最佳的PAA用量及pH值范围分别为0．06mg／m2和10—11。55wt％固相含量的浆料在150S-1剪切速率下粘度为0．38Pa·s，以此为原料采用胶态成型技术制备出微观结构均匀的ITO陶瓷素坯。
- 侯俊峰李志友周科朝甘雪萍
- 关键词：ZETA电位流变性能粘度
- 熔盐法制备各向异性形貌晶粒的研究进展被引量：6
- 2012年
- 各向异性形貌的单晶颗粒由于有特定的形貌和结晶学方向,从而区别于同组分的等轴粉末颗粒,而且由于其具有某些特定的性能,在功能陶瓷领域的应用越来越广泛。熔盐法是制备非等轴状晶粒的重要方法之一,本文概述了熔盐法制备非等轴状低维度单晶颗粒的基本原理及熔盐选择的基本原则,阐述了不同工艺条件(反应温度及时间、熔盐种类及其含量等)对产物尺寸及形貌的影响,并探讨了各向异性形貌单晶颗粒的形成机理。
- 侯俊峰武在军王耀挺毕明峰
- 关键词：熔盐法
- In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征被引量：1
- 2016年
- 以SnO_2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射、电子探针、透射电子显微镜、扫描电子显微镜对其物相组成、元素分布和微观结构进行研究。研究结果表明:在In_2O_3:Sn晶粒内析出纳米尺寸的体心立方结构的富Sn相,晶粒边缘内侧出现低Sn浓度的无析出带,其三晶交界处生成In_4Sn_3O_(12)晶粒;In_2O_3:Sn晶内富Sn析出相按照从晶粒中部到晶界边缘尺寸逐渐减小、排布由疏到密的的规律分布;随着保温时间的延长,In_4Sn_3O_(12)晶粒尺寸、In_2O_3:Sn晶内的富Sn析出相尺寸和无析出带宽度增大。
- 侯俊峰周科朝李志友王科甘雪萍
- 关键词：微观结构
- 掺锡氧化铟陶瓷靶材在直流磁控溅射过程中“结瘤”的形成与演化被引量：2
- 2013年
- 以共沉淀ITO粉制备的陶瓷靶材为溅射靶,采用EDX、XRD、SEM研究了靶材在磁控溅射过程中"结瘤"的化学组分及物相组成,并对不同阶段"结瘤"的微观结构进行表征,探讨了"结瘤"的生长演化过程及形成机理。结果表明:"结瘤"与靶材基体具有相同的化学组成及物相结构,其生长演化分为锥状"结瘤"的形成及生长、锥顶外皮脱落、"结瘤"断裂、断面平滑、诱发新"结瘤"产生5个阶段。溅射过程中的"自溅射"效应使外来杂质颗粒和In2O3分解产生的InO在靶材表面形成的凸起逐渐长大并最终形成"结瘤"。
- 侯俊峰李志友周科朝孙本双姜鹤
- 关键词：ITO靶材结瘤溅射凸起
