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王德稳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电子束曝光
  • 2篇电子束
  • 2篇电子束抗蚀剂
  • 2篇掩膜
  • 2篇阳极键合
  • 2篇气密
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米尺寸
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘材料
  • 2篇抗蚀剂
  • 2篇缓冲气体
  • 2篇键合
  • 2篇反应物
  • 2篇封装
  • 2篇封装方法
  • 2篇尺寸
  • 1篇制作方法
  • 1篇SU-8

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇苏州工业园区...

作者

  • 5篇王德稳
  • 4篇王逸群
  • 4篇姜春宇
  • 3篇周震华
  • 3篇林文魁
  • 2篇侯克玉
  • 2篇张宝顺
  • 2篇付思齐
  • 1篇李淑萍
  • 1篇龚亚飞

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属...
王逸群姜春宇付思齐林文魁王德稳张宝顺
文献传递
基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法
2014年
提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。
李淑萍林文魁王德稳周震华龚亚飞
关键词：电子束曝光SU-8
电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉王逸群姜春宇王德稳周震华
文献传递
电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法，包括：s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂；s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层；s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂；s4、电子束曝光，在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉王逸群姜春宇王德稳周震华
文献传递
一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属...
王逸群姜春宇付思齐林文魁王德稳张宝顺
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