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陈萌炯

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氢键
  • 1篇非晶硅
  • 1篇硅
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇CVD法
  • 1篇DBD

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇韩高荣
  • 1篇郭玉
  • 1篇张溪文
  • 1篇王薇薇
  • 1篇陈萌炯

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
DBDCVD法制备a-Si:H的性能研究被引量：5
2006年
本文用介质阻挡放电化学气相沉积(DBDCVD)在室温下进行了非晶氢硅薄膜制备。通过硅烷氢气流量比、DBD放电电压等工艺条件的调整,在玻璃上沉积了系列样品。研究表明,DBDCVD法可以在室温下快速制备非晶氢硅薄膜,最大沉积速率可达0.34nm/s,由于DBDCVD的高能量和室温沉积的特点,薄膜中硅-氢键以SiH2为主。随硅烷反应气体浓度的变化,薄膜的光学带隙可在1.92eV^2.18eV之间调整。
陈萌炯张溪文郭玉王薇薇韩高荣
关键词：非晶硅
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