吴政
- 作品数：10 被引量：7H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法
- 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，涉及一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，尤其是涉及一种纳米聚甲基丙烯酸甲酯球芯包覆银膜的制备方法。提供一种具有核壳结构的有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法。先制备聚...
- 朱贤方陈志华吴政
- 文献传递
- PMMA纳米球的制备及其银膜包覆技术被引量：3
- 2008年
- 采用无皂乳液聚合法制备了单分散、直径为170 nm左右的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)纳米球,然后利用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MATS)和3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)对PMMA纳米球进行表面改性,在其表面包覆一层均匀的巯基,通过巯基与银离子之间的相互作用,使银在PMMA纳米球表面成核长大,从而合成PMMA/Ag纳米球壳粒子.通过扫描电子显微镜、投射电子显微镜和紫外-可见吸收光谱测试技术对产物性能进行了表征,研究结果表明,制备的PMMA/Ag纳米球壳粒子的分散性好、包覆均匀.
- 陈志华吴政张其清包建军王连洲逯高清朱贤方
- 关键词：表面改性
- 金属与n型Ge接触研究及其在Si基Ge光电二极管中应用
- 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率和在通信波段具有更高的吸收系数,并且与成熟的硅微电子工艺相兼容等优点,使硅基锗光电子材料与器件成为Si基光电集成领域重要的研究课题之一。由于金属/n-Ge接触存在强烈的费米钉扎效应...
- 吴政
- 关键词：势垒高度3DB带宽
- Simulation on the optical properties of noble metal nanoshell
- Core-shell nanoparticle fabrication, optical properties and potential applications in chem-/bio-sensors have a...
- 陈辛夷李强吴政朱贤方
- 关键词：CORE-SHELL
- 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法
- 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再...
- 李成吴政赖虹凯陈松岩
- 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法
- 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，涉及一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，尤其是涉及一种纳米聚甲基丙烯酸甲酯球芯包覆银膜的制备方法。提供一种具有核壳结构的有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法。先制备聚...
- 朱贤方陈志华吴政
- 文献传递
- TaN薄膜与Ge接触电学性质研究
- Ge 表面具有高的表面态，当Ge与金属接触时存在强烈的费米钉扎效应，电子的势垒高度被钉扎在0.6eV 附近，严重影响器件的性能.我们研究了TaN 薄膜与Ge 接触界面特性，发现薄的TaN可有效减轻费米钉扎效应，降低金属与...
- 李成吴政黄巍
- 文献传递
- The fabrication of Polymethyl Methacrylate(PMMA) nanosphere and the technique of coating Ag layer
- Firstly we fabricated the monodisperse PMMA nanospheres with the diameter of about 170 nm by emulsifier-free e...
- 陈志华吴政张其清包建军王连洲逯高清朱贤方
- 关键词：MATS
- 采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能被引量：4
- 2012年
- 金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数.发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24μm的探测器在1.55μm的波长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍.同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍.结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能.
- 吴政王尘严光明刘冠洲李成黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：接触电阻PIN光电探测器高频特性
- 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法
- 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再...
- 李成吴政赖虹凯陈松岩
- 文献传递
