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杨丽媛

作品数：7 被引量：3H指数：1
供职机构：长安大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 3篇电阻
  • 3篇电阻特性
  • 3篇势垒
  • 3篇反相器
  • 3篇方块电阻
  • 2篇地基
  • 2篇电子浓度
  • 2篇短柱
  • 2篇短桩
  • 2篇支护
  • 2篇支护装置
  • 2篇软土
  • 2篇软土地基
  • 2篇软土地基深基...
  • 2篇深基坑
  • 2篇土地基
  • 2篇坑底
  • 2篇坑底隆起
  • 2篇基坑
  • 2篇沟道

机构

  • 7篇长安大学
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇西安理工大学

作者

  • 7篇杨丽媛
  • 5篇全思
  • 3篇闫茂德
  • 3篇李演明
  • 3篇郝跃
  • 3篇文常保
  • 2篇谷文萍
  • 2篇刘盼芝
  • 2篇张林
  • 2篇徐小波
  • 2篇李爽
  • 1篇杨鑫

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种软土地基深基坑支护装置
本发明公开了一种软土地基深基坑支护装置，包括柱桩、短桩、斜撑、挤压杆及防变位装置；短桩设置在柱桩的一侧，且远离地基坡面一侧设置；斜撑设置在柱桩与短桩之间，斜撑的一端与柱桩连接，另一端与短桩连接；挤压杆的上端与斜撑活动连接...
赵灿齐群杨丽媛李爽李壮壮
文献传递
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：2
2016年
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和Si N钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.
谷文萍张林杨鑫全思徐小波杨丽媛刘盼芝
关键词：ALGAN/GANHEMT质子辐照
电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1
2015年
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低。几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小。分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生。此外实验结果也说明Si N钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段。
谷文萍全思张林徐小波刘盼芝杨丽媛
关键词：GAN电子辐照表面态辐照加固
一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法
本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子...
全思杨丽媛李演明文常保闫茂德郝跃
文献传递
一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振
本实用新型提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器及环振，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低...
全思杨丽媛李演明文常保闫茂德郝跃
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一种软土地基深基坑支护装置
本发明公开了一种软土地基深基坑支护装置，包括柱桩、短桩、斜撑、挤压杆及防变位装置；短桩设置在柱桩的一侧，且远离地基坡面一侧设置；斜撑设置在柱桩与短桩之间，斜撑的一端与柱桩连接，另一端与短桩连接；挤压杆的上端与斜撑活动连接...
赵灿齐群杨丽媛李爽李壮壮
文献传递
一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法
本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子...
全思杨丽媛李演明文常保闫茂德郝跃
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