王强栋
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程经济管理更多>>
- P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制被引量：2
- 2015年
- 设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。
- 胡顺欣何先良王强栋梁东升李飞邓建国郎秀兰李亮
- 关键词：LDMOS硅P波段窄脉冲
- GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn...
- 王川宝李亮王强栋马杰付兴中崔玉兴
- 文献传递
- 可见光热反射测温方法及测温设备
- 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反...
- 翟玉卫默江辉王强栋刘岩李灏丁立强荆晓冬丁晨
- 晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究被引量：2
- 2016年
- 针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理。确定最佳工艺条件为：压四根针,阴极抖动频率为40次/分钟,均匀性挡板开孔尺寸为70cm。生产过程中镀层目标后的为4μm时,均匀性可控制在0.23m以内。
- 王川宝王强栋刘相伍
- 关键词：晶圆
- 双极型功率晶体管基片及其制作方法
- 本发明公开了一种双极型功率晶体管基片及其制作方法，涉及晶体管的制作方法技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述方法提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘...
- 王强栋霍彩红董军平刘青林秦龙潘宏菽
- 文献传递
- 可见光热反射测温方法及测温设备
- 本发明适用于微电子测温技术领域，提供了一种可见光热反射测温方法及测温设备，上述方法包括：控制待测件的温度稳定在第一预设温度，并采集待测件的反射率，作为第一反射率；控制待测件的温度升高并稳定在第二预设温度，并采集待测件的反...
- 翟玉卫默江辉王强栋刘岩李灏丁立强荆晓冬丁晨
- 文献传递
- 一种碳化硅器件的离子注入方法
- 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂...
- 秦龙宋洁晶胡泽先高渊高昶孙虎赵红刚吕鑫朱延超高三磊王强栋吕树海刘相伍
- 文献传递
- C波段限幅开关集成芯片被引量：2
- 2011年
- 采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片一次流片成功。实测结果显示,该芯片在5～6 GHz频率范围内插入损耗小于1 dB,隔离度大于50 dB,电压驻波比小于1.5∶1,开关速度小于25 ns,可承受10 W以上的连续波功率。该集成芯片在T/R组件接收通道可替代两只单一功能芯片,有较好的应用前景。
- 魏洪涛王强栋李用兵
- 关键词：砷化镓P-I-N二极管限幅器开关集成芯片
- 双极型功率晶体管基片
- 本实用新型公开了一种双极型功率晶体管基片，涉及晶体管技术领域。所述基片包括晶圆片，所述晶圆片的下表面从上到下依次设有钛金属层、镍金属层和金金属层。所述基片提高了双极型功率晶体管的背面金属与晶圆片背面的粘附性能，又保证了管...
- 王强栋霍彩红董军平刘青林秦龙潘宏菽
- 文献传递
