高攀
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学固体微结构与性能研究所更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划国家自然科学基金北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 透射电镜力电样品杆与扫描电镜联合系统的搭建
- 矫丽丽王晋高攀邵瑞文张跃飞郑坤
- 弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究被引量：5
- 2015年
- 在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
- 高攀王疆靖王晓东廖志明邵瑞文郑坤韩晓东张泽
- 关键词：压阻效应电导率
- 透射电镜电学测试样品杆与扫描电镜联合系统的搭建
- 2016年
- 透射电子显微镜电学测试样品杆是用于透射电子显微镜中测试样品外场加载下电学性能的专用仪器。本文介绍通过对法兰及其它对接接口的系列设计,使该系统可应用于扫描电子显微镜中。该系列设计改造,能够大大拓展该电学测试系统的应用范围。以单根Si纳米线为例,在扫描电子显微镜中利用该电学测试系统实现Si纳米线弯曲变形下电输运性能的研究。
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- 关键词：扫描电镜透射电镜电学性能
