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徐帅

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：五邑大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇金属
  • 2篇导体
  • 2篇铜锌
  • 2篇退火
  • 2篇结晶度
  • 2篇高结晶度
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 1篇预退火
  • 1篇三步法
  • 1篇退火时间
  • 1篇退火温度
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇径向
  • 1篇硅基

机构

  • 3篇五邑大学

作者

  • 3篇范东华
  • 3篇徐帅
  • 2篇沈振辉
  • 2篇张俊芝

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
提高太阳电池吸收层铜锌锡硫薄膜结晶性能的制备方法
本发明公开了一种利用三步法提高太阳电池吸收层铜锌锡硫半导体薄膜结晶性能的制备工艺。本方法将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发的方法得到层状的金属薄膜前驱体，再对层状金属前驱体进行预退火处理，...
范东华张俊芝沈振辉徐帅许满钦
文献传递
提高太阳电池吸收层铜锌锡硫薄膜结晶性能的制备方法
本发明公开了一种利用三步法提高太阳电池吸收层铜锌锡硫半导体薄膜结晶性能的制备工艺。本方法将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发的方法得到层状的金属薄膜前驱体，再对层状金属前驱体进行预退火处理，...
范东华张俊芝沈振辉徐帅许满钦
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硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究被引量：2
2015年
采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银时间为60s、双氧水浓度为1.0mol/L条件下,能够得到较为均匀、规则的硅纳米线阵列。此外,探讨了银辅助刻蚀硅纳米线的形成机理。
范东华徐帅许满钦
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