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贾艳丽

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇金属
  • 2篇金属材料
  • 2篇化学分解
  • 1篇铜互连
  • 1篇自组装
  • 1篇阻挡层
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇脉冲激光轰击
  • 1篇膜材料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米复合薄膜
  • 1篇纳米铁
  • 1篇互连
  • 1篇激光
  • 1篇激光靶
  • 1篇合金
  • 1篇非晶

机构

  • 5篇河北大学

作者

  • 5篇代秀红
  • 5篇刘保亭
  • 5篇贾艳丽
  • 3篇赵庆勋
  • 3篇李晓红
  • 3篇张磊
  • 3篇王世杰
  • 2篇周阳
  • 2篇郭建新
  • 2篇闫其庚
  • 2篇贾长江
  • 2篇施健
  • 1篇王英龙

传媒

  • 3篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
自组装1-3型外延LaSrFeO_4∶Fe纳米复合薄膜的结构和磁性能研究
2014年
采用高温固相法制备La0.5Sr0.5FeO3靶材,在高能量,较低的温度条件下利用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(001)衬底上自助装生长1-3型外延的LaSrFeO4∶Fe(LSFO4∶Fe)纳米复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征薄膜的晶体结构和生长取向,磁力显微镜(MFM)观测样品的表面形貌和磁畴结构,超导量子干涉仪(SQUID)磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,α-Fe纳米线的直径大小约为20 nm。在低温10 K时,磁场方向平行和垂直纳米线的矫顽力分别为1645 Oe和923 Oe,饱和磁化强度分别为780 emu/cm3和645 emu/cm3,样品表现出良好的磁各向异性。
贾艳丽闫其庚张磊冯招娣代秀红王世杰赵庆勋王英龙刘保亭
关键词:脉冲激光沉积磁性能
非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究
2014年
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质。结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效。
张磊冯招娣王世杰贾艳丽贾长江闫其庚李晓红代秀红刘保亭
关键词:阻挡层铜互连
硅基Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究
2014年
利用脉冲激光沉积技术在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上生长了厚度约为200 nm的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,构架了Pt/BST/Pt平行板电容器,测量了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜电容器在不同温度下的漏电流,研究了BST薄膜的结构和性能。结果表明BST薄膜为多晶钙钛矿结构,随着测量温度的降低,漏电流密度也随之降低,但是正负偏压下的J-V曲线并不对称,这主要归因于上下Pt电极与BST的界面热处理不同。通过不同导电机理对漏电流密度拟合发现,在负向偏置电压下,Pt/BST/Pt电容器均基本符合欧姆导电机制;而对于正向偏置电压,在低电压下符合欧姆导电机制,并且符合欧姆导电机制的电压范围在不断扩大,在高电压下符合空间限制电流(SCLC)导电机制。
王世杰代秀红贾长江张磊贾艳丽刘保亭
关键词:脉冲激光沉积漏电流
纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法
本发明公开了一种纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料及其制备方法,其制备采用磁控脉冲激光共溅射方法实现,本发明磁控脉冲激光共溅射装置的激光靶位选用纯度&gt;99.95%的La<Sub>x</Sub>N<Sub>1-x</Su...
刘保亭贾艳丽闫启庚施健李晓红代秀红郭建新周阳赵庆勋
文献传递
纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法
本发明公开了一种纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料及其制备方法,其制备采用磁控脉冲激光共溅射方法实现,本发明磁控脉冲激光共溅射装置的激光靶位选用纯度&gt;99.95%的La<Sub>x</Sub>N<Sub>1-x</Su...
刘保亭贾艳丽闫启庚施健李晓红代秀红郭建新周阳赵庆勋
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共1页<1>
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