卢丽芳
- 作品数：19 被引量：41H指数：4
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 激光烧蚀制备按尺寸自然分离的纳米Si晶粒被引量：5
- 2007年
- 提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000Ω.cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5-2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒激光烧蚀
- 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备被引量：7
- 2005年
- 采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜.相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成.扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构.相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
- 王英龙卢丽芳闫常瑜褚立志周阳傅广生彭英才
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀薄膜形貌光致发光
- 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置
- 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置，该装置包括：蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7)；衬底支架(2)垂直于电机轴固定于电机轴端上；真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上，真空电机(1...
- 张福俊徐征卢丽芳赵谡玲王永生
- 文献传递
- 混合界面对溶液制备的磷光OLED器件性能的影响
- 2011年
- 利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高,在电压为10 V时,常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA.cm-2和1.03μW,而采用混合界面的器件可以分别达到18.1mA.cm-2和3.64μW。通过分析认为,引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入,也增大了到达发光层的电子数目,从而增大了发光几率,引起了电流密度和发光功率的共同增长。
- 宋丹丹赵谡玲徐征张福俊卢丽芳张妍斐孔超闫光
- 关键词：磷光电子注入电子传输
- 不同纳米结构的MoO3超薄层对有机电致发光器件性能的影响
- 利用倾斜式生长的方法在倾斜角为80°的条件下制备了MoO3超薄层,并将该MoO3超薄层应用到有机电致发光二极管中的透明ITO电极上作为缓冲层.器件结构为ITO/MoO3/N,N'-di (naphtha...
- 卢丽芳徐征张福俊赵谡玲徐叙瑢
- 一种提高光输出耦合效率的有机电致发光器件及其制备方法
- 一种提高光输出耦合效率有机电致发光器件及其制备方法，它是在其器件的ITO玻璃衬底的玻璃面上制备一层厚度50nm～90nm的ZnS棒状纳米薄膜。其制备步骤：将有机电致发光器件的ITO玻璃衬底的玻璃面向下固定在衬底支架上；使...
- 张福俊卓祖亮卢丽芳徐征王永生
- 文献传递
- 脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定被引量：14
- 2007年
- 为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5—2.8cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.
- 褚立志卢丽芳王英龙傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀
- 激光烧蚀制备纳米Si薄膜的动力学特征参量研究
- 本工作采用脉冲激光烧蚀技术，在10 Pa的Ar气环境下，沉积制备了一系列纳米Si薄膜，并利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、x射线衍射（XRD）仪、拉曼散射（Raman）仪，对其表面形貌、晶态成分等特性...
- 卢丽芳
- 关键词：纳米硅薄膜脉冲激光烧蚀动力学方程
- 文献传递
- 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置
- 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置，该装置包括：蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7)；衬底支架(2)垂直于电机轴固定于电机轴端上；真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上，真空电机(1...
- 张福俊徐征卢丽芳赵谡玲王永生
- 文献传递
- 一种提高光输出耦合效率的有机电致发光器件及其制备方法
- 一种提高光输出耦合效率的有机电致发光器件及其制备方法，它是在其器件的ITO玻璃衬底的玻璃面上制备一层厚度50nm～90nm的ZnS棒状纳米薄膜。其制备步骤：将有机电致发光器件的ITO玻璃衬底的玻璃面向下固定在衬底支架上；...
- 张福俊卓祖亮卢丽芳徐征王永生
