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姚昆

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电路
  • 2篇全加器
  • 2篇逻辑单元
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米电路
  • 2篇半导体纳米材...
  • 2篇背栅
  • 2篇CMOS电路
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇碳纳米管材料
  • 1篇纳米管

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇陈清
  • 3篇王胜
  • 3篇彭练矛
  • 3篇张志勇
  • 3篇胡又凡
  • 3篇梁学磊
  • 3篇姚昆
  • 1篇高旻

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像被引量：4
2007年
本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单。单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子。像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响。
彭练矛王胜梁学磊张志勇姚昆胡又凡高旻陈清
关键词：扫描电子显微镜碳纳米管
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