曹明威
- 作品数：6 被引量：31H指数：2
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术更多>>
- 基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究被引量：1
- 2013年
- 提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作"H"型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明:传感器一致性良好,在500 hPa～1 100 hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96 Hz/hPa,线性相关系数为0.999 996。
- 曹明威陈德勇王军波焦海龙张健
- 关键词：微电子机械系统谐振式压力传感器绝缘体上硅差分检测阳极键合
- 一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器
- 本发明公开了一种基于SOI工艺的电磁激励电磁检测的高精度硅微谐振式气压传感器。其核心部件是传感器芯片，由包含SOI工艺制作的单晶硅H型谐振器及单晶硅压力敏感膜的SOI硅片和带有引线通孔的硼硅玻璃盖片通过真空阳极键合形成。...
- 陈德勇曹明威王军波
- 文献传递
- 谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装被引量：26
- 2014年
- 为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后,通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构。最后,利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔,通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效,封装气密性良好;传感器在10kPa^110kPa的差分检测灵敏度约为10.66 Hz/hPa,线性相关系数为0.99999 542。
- 陈德勇曹明威王军波焦海龙张健
- 关键词：微电子机械系统谐振式压力传感器阳极键合真空封装
- 基于SOI-MEMS技术的静电驱动-电容检测硅谐振器(英文)被引量：2
- 2013年
- 提出一种基于SOI-MEMS技术的静电驱动-电容敏感检测的横向硅谐振器,对其进行设计、MEMS工艺加工制作实现、微弱电容检测及开环测试.该新型静电激励谐振器结构主要包含一个从中间受力点向两侧引出两个电极板的双端固支梁,这种设计使得此谐振器的静电驱动电压远小于具有相同电极板面积和极板间距的同类静电驱动谐振器,且检测电容更大,降低了检测难度.以器件层电阻率很低(0.001～0.002Ω·bcm)的SOI晶圆为基础材料,其SOI-MEMS加工工艺流程简单,仅需要2块掩膜版,有4个主要单步工艺.实验测试结果表明:在真空度为0.1～1.0 Pa环境下,直流偏置电压低至30 V,交流驱动电压峰-峰值为20 mV时,该谐振器在其谐振频率点52 261.99 Hz处的Q值依然高于11 800.
- 焦海龙陈德勇王军波张健曹明威
- 关键词：MEMS谐振器静电驱动电容检测SOI
- 一种谐振式MEMS压力传感器单芯片级真空封装和低应力组装方法被引量：3
- 2013年
- 为提高谐振式MEMS压力传感器的品质因数，且同时降低温度漂移，设计了一种传感器的单芯片级真空封装和低应力组装方法，选用非光敏苯并环丁烯（BCB）材料在真空加热、加压条件下实现PYREX7740玻璃空腔与传感器芯片的黏合键合，在可伐合金管座上加工出与传感器尺寸相匹配的方形空腔，实现传感器芯片的低应力组装．实验结果表明：传感器具有较高的品质因数（9455），检测范围为500—1100hPa，灵敏度为9．6Hz／，hPa，满量程最大非线性度为0．08％，-40℃-50℃内温度系数为0．9Hz／℃，温度总漂移为传感器满量程变化的1．3％，传感器在开机加电稳定后长时漂移为0．086％F．S．
- 张健王军波曹明威陈德勇
- 关键词：谐振式压力传感器真空封装
- 一种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器
- 本发明公开了一种基于SOI工艺的电磁激励电磁检测的高精度硅微谐振式气压传感器。其核心部件是传感器芯片，由包含SOI工艺制作的单晶硅H型谐振器及单晶硅压力敏感膜的SOI硅片和带有引线通孔的硼硅玻璃盖片通过真空阳极键合形成。...
- 陈德勇曹明威王军波
- 文献传递
