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李皓伟

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 3篇成像系统
  • 2篇电子聚焦
  • 2篇电子透镜
  • 2篇增强器
  • 2篇透镜
  • 2篇绕行
  • 2篇微光
  • 2篇像增强器
  • 2篇铝栅
  • 2篇面阵
  • 2篇沟道
  • 2篇光阴极
  • 2篇硅衬底
  • 2篇CCD
  • 2篇衬底
  • 1篇微光成像
  • 1篇微通道
  • 1篇积分时间
  • 1篇光电
  • 1篇光电子

机构

  • 5篇西安理工大学

作者

  • 5篇宁辉
  • 5篇张磊
  • 5篇刘锴
  • 5篇唐远河
  • 5篇独育飞
  • 5篇李皓伟
  • 3篇屈光辉

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种提高成像系统微光探测性能的像增强器
本发明公开的提高成像系统微光探测性能的像增强器，包括光阴极、电子透镜、微通道板和荧光屏，其特点是在贴近光阴极和电子透镜之间设置磁镜，磁镜可以采用微通电子瓶板结构或简单磁镜外加电子聚焦透镜结构。将磁镜装置应用在微光探测成像...
唐远河独育飞刘锴屈光辉宁辉张磊李皓伟
文献传递
绕行转移面阵电荷耦合器件CCD
本发明公开的绕行转移面阵电荷耦合器件CCD，包括P型硅衬底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层，以及在SiO<Sub>2</Sub>绝缘层上排列布置的MOS感光单元铝栅电极，与相数相同个数的MOS感光单元铝栅电极组成一...
独育飞唐远河刘锴宁辉张磊李皓伟
文献传递
绕行转移面阵电荷耦合器件CCD
本发明公开的绕行转移面阵电荷耦合器件CCD，包括P型硅衬底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层，以及在SiO<Sub>2</Sub>绝缘层上排列布置的MOS感光单元铝栅电极，与CCD的相数相同个数的MOS感光单元铝栅电...
独育飞唐远河刘锴宁辉张磊李皓伟
文献传递
基于增加光电子积分时间的磁镜装置研究被引量：2
2007年
阐述了提高微光成像系统低照度探测极限的本质是需保证成像系统对光信号足够的积累时间,从理论上指出降低CCD温度实现低照度探测的局限性和实现技术的复杂性后,提出在光阴极与光电子接收器(屏靶)之间耦合一个磁镜装置(即微通道电子瓶板结构)作为一种新的光电子接收器,即可有效保证图像信号的积分时间,提高成像系统的探测信噪比,达到拓展微光成像系统低照度探测极限的目的。论证了磁镜场的物理机理,并用计算机模拟显示出了预期的结果。该方案在常温下能实现当前微光成像系统低温探测灵敏度极限10-11lx的目标。
独育飞唐远河刘锴屈光辉宁辉张磊李皓伟
关键词：成像系统微光成像磁镜
一种提高成像系统微光探测性能的像增强器
本发明公开的提高成像系统微光探测性能的像增强器，包括光阴极、电子透镜、微通道板和荧光屏，其特点是在贴近光阴极和电子透镜之间设置磁镜，磁镜可以采用微通电子瓶板结构或简单磁镜外加电子聚焦透镜结构。将磁镜装置应用在微光探测成像...
唐远河独育飞刘锴屈光辉宁辉张磊李皓伟
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