李超
- 作品数：17 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生一般工业技术化学工程更多>>
- 结合AlGaN和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)的新型日盲紫外探测器的研制
- 制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应...
- 刘秀娟李超王建禄张燕孙璟兰李向阳
- 关键词：ALGANPVDF
- 文献传递
- GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究被引量：3
- 2009年
- 利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明:外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度,从而对样品质量作出详细的分析.
- 李超李雪许金通李向阳
- 关键词：GAN透射光谱光散射消光系数
- 具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器
- 本发明公开一种具有AlGaN吸收层的热释电紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一AlGaN吸收层，该吸收层生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，对电极部分进行电隔离；一底电极，该底电极生长在介电绝缘层...
- 李超张燕李向阳王建禄孙璟兰孟祥建袁永刚贾嘉
- 文献传递
- 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n...
- 包西昌张文静许金通王玲李超储开慧王妮丽张燕李向阳
- 文献传递
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
- 2010年
- 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
- 包西昌李超张文静王玲李向阳
- 关键词：ALGAN电容特性
- 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的...
- 王玲许金通袁永刚包西昌张文静李超张燕李向阳
- 文献传递
- 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法
- 本专利公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件及制备方法，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆...
- 李超李向阳许金通刘福浩张燕刘向阳乔辉
- 文献传递
- 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065 A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360 nm处的峰值响应率仅为0.039 A/W.禁带宽度、串联电阻、内建电场等是引起探测器响应率随温度降低的原因.
- 包西昌张文静刘诗嘉李超李向阳
- 关键词：GAN离子注入电流特性
- PVDF有机聚合物薄膜电容器的光刻制备方法
- 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚...
- 李超孙璟兰孟祥建王建禄田莉乔辉张燕李向阳
- PVDF有机聚合物薄膜电容器
- 本发明公开一种PVDF有机聚合物薄膜电容器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一金属底电极，该金属底电极生长在衬底上；一介电绝缘层，该介电绝缘层为孔型，将部分金属底电极包裹起来；一有机聚合物薄膜，该有机聚合物薄膜生长在介...
- 李超孙璟兰孟祥建王建禄田莉乔辉张燕李向阳
