刘艳涛
- 作品数：13 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于Atemga128的磁控溅射镀膜机
- 介绍应用于石英晶体谐振器制造的双靶真空镀膜机,以Atemga128单片机为核心,与上位机进行数据传递,真空镀膜包括真空获得、电离清洗、磁控溅射等工艺过程,可实现多种金属电极的镀膜要求,并实现谐振器的制造工艺要求。
- 刘艳涛马剑平
- 关键词：磁控溅射真空ATMEGA128
- 文献传递
- 一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法
- 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发...
- 王馨梅张丽妮曹瑞彬刘艳涛贾婉丽张超
- 一种输出可调的高性能带隙基准源设计
- 2008年
- 设计了一款用于直流电源变换器(regulator)的高性能带隙基准电路,电路结构简洁新颖,并具有输出参考电压可调的优点。Spectre仿真表明,在输入电压为3.3V±0.3V,输出约为288mV的典型应用中,当温度从-40℃～125℃变化时温度系数低至2.13×10^(-6)(ppm)K(TT工艺角下)。
- 刘艳涛黄蕾
- 关键词：输出可调带隙基准源温度系数电源抑制比基准电路
- 圆型平面非平衡磁控溅射靶的优化设计被引量：2
- 2008年
- 非平衡磁控溅射技术的关键就是设计非平衡磁控溅射靶的靶面磁场分布。改善靶面横向磁场分布的均匀性是提高靶材利用率的有效途径。通过磁场的有限元分析,得到了圆型平面非平衡磁控溅射靶结构参数对靶面磁场均匀性和强度的影响,给出了非平衡磁控溅射靶的优化设计结构,并与实验结果进行了对比分析,靶面磁场强度和分布均匀性得以明显改善。
- 马剑平刘艳涛
- 关键词：磁控溅射有限元
- 脉冲磁控溅射法制备石英晶体谐振器的研究
- 石英晶体谐振器是一种提供基准时基的器件。它具有极高的频率稳定度,常用来作为频率控制和频率基准,在军用通信装置和科研仪器设备中占有重要地位,而且在民用方面也得到了非常广泛的应用。石英晶体谐振器的制造工艺对谐振器的性能有着极...
- 刘艳涛
- 关键词：石英晶体谐振器磁控溅射沉积速率
- 文献传递
- 退火条件对磁控溅射MgO-Ag_(3)Sb-Sb_(2)O_(4)柔性薄膜热电性能的影响
- 2022年
- MgAgSb是一种具有潜力且元素储量相对丰富的室温热电材料,有望用于构建高性能可穿戴温差电池。本研究尝试在聚酰亚胺(PI)基底上磁控溅射制备MgAgSb薄膜,并系统研究退火条件对其热电性能的影响。结果表明样品未形成纯相的MgAgSb柔性热电薄膜,而是形成了由Ag_(3)Sb、MgO及Sb_(2)O_(4)多相组成的柔性薄膜,其中Ag_(3)Sb起主要热电功能。不同气氛退火可以显著提升MgO-Ag_(3)Sb-Sb_(2)O_(4)(Mg-Ag-Sb)柔性薄膜的热电性能,其中真空处理性能最佳。在真空条件下,随着退火温度升高,柔性薄膜的热电性能呈现先增加后减少的趋势,当退火温度为573K时热电性能最佳,室温附近功率因子达到74.16μW·m^(-1)·K^(-2)。并且,薄膜表现出较好的柔性,弯曲900次后,电导率仅变化了14%。本研究为MgAgSb柔性热电薄膜的制备及可穿戴应用提供了参考。
- 刘丹赵亚欣郭锐刘艳涛张志东张增星薛晨阳
- 关键词：退火处理热电性能
- 一种Sn掺杂Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>紫外探测器及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种Sn掺杂Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>紫外探测器及其制备方法和应用，探测器结构主要包括c面蓝宝石衬底，Sn掺杂Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜生长在蓝宝石...
- 刘艳涛黄荣林涛
- 脉冲溅射技术制备石英谐振器的工艺研究
- 对石英晶体谐振器制备的工艺进行改进,利用脉冲磁控溅射技术替代真空蒸发技术,实现了在石英晶片上快速沉积金属铝电极,得到不同工艺参数下Al膜的沉积速率,通过改变工艺参数,改变对谐振器主要影响因素金属电极薄膜的厚度,实现了对谐...
- 刘艳涛马剑平
- 关键词：石英晶体谐振器沉积速率
- 文献传递
- 基于Atemga128的磁控溅射镀膜机(英文)
- 介绍应用于石英晶体谐振器制造的双靶真空镀膜机,以Atemga128单片机为核心,与上位机进行数据传递,真空镀膜包括真空获得、电离清洗、磁控溅射等工艺过程,可实现多种金属电极的镀膜要求,并实现谐振器的制造工艺要求。
- 刘艳涛马剑平
- 关键词：磁控溅射真空ATMEGA128
- 文献传递
- 一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法
- 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关，包括半绝缘衬底，在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极，在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域，电触发区域的上方制作有绝缘层，绝缘层的两端分别制作有阴极，阴极与电触发...
- 王馨梅张丽妮曹瑞彬刘艳涛贾婉丽张超
- 文献传递
