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周祥标

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇硅化物
  • 3篇金属硅化物
  • 2篇电阻
  • 2篇气相沉积
  • 2篇浅结
  • 2篇物理气相沉积
  • 2篇肖特基
  • 2篇接触电阻
  • 2篇金属
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇半导体掺杂
  • 2篇半导体场效应...
  • 2篇场效应管
  • 2篇超浅结
  • 2篇触电

机构

  • 8篇复旦大学

作者

  • 8篇周祥标
  • 8篇吴东平
  • 7篇许鹏
  • 5篇付超超
  • 3篇张世理
  • 2篇张卫
  • 1篇许鹏

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
超浅结半导体场效应晶体管的制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管的制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积了...
吴东平周祥标许鹏张卫张世理
文献传递
一种半导体-金属-半导体叠层结构及其制备方法
本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体...
吴东平张世理许鹏周祥标
文献传递
金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在金属硅化物与源区或漏区交界处形成具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻。提出的场效应晶体管采用金属源...
许鹏吴东平付超超周祥标
文献传递
多层场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种多层场效应晶体管及其制造方法。本发明中，将N个场效应晶体管采用上下堆叠的方式形成，能够在不增加芯片表面积的情况下，提高集成电路场效应晶体管的集成度，符合半导体技术发展的趋势，能够对量产...
吴东平许鹏周祥标付超超
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微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节被引量：3
2016年
为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。
周祥标许鹏付超超吴东平
关键词：NISI
半导体器件的制备方法
本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚...
吴东平许鹏周祥标付超超
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无结场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体制造领域，公开了一种无结场效应晶体管及其制备方法。本发明中，能够获得具有关态漏电小，能有效克服短沟道效应等优点的无结场效应管，此外，使源区和漏区采用肖特基接触引出，能够降低源区和漏区的接触电阻，从而增加了...
许鹏吴东平付超超周祥标
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超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种超浅结半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明中，通过在形成了栅极结构的半导体衬底上，以金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材，采用物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜，并对淀积...
吴东平周祥标许鹏张卫张世理
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