姚毅
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：陕西科技大学电气与信息工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目温州市科技计划项目陕西省专利产业化项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 掺杂C545T对2T-NATA作为空穴注入层OLED性能的影响被引量：3
- 2010年
- 实验制备了6组结构为ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(20nm)∶C545T(x%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光多层结构OLED器件,其中x分别为0、1、2、3、4和5。比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性,结果表明:用2T-NATA作为空穴注入层可有效提高载流子的注入效果,同样能够达到高亮度。将C545T掺杂到Alq3中能够明显改善器件的发光亮度和色纯度,并调节载流子复合区域的位置,有效提高发光效率。掺杂C545T对器件性能的影响显著,随着C545T掺杂浓度的提高,电流和亮度先增大后减小。当掺杂浓度为3%时,14V电压下的最大发光亮度达到12418cd/m2,浓度为2%时的器件,在12V驱动电压下的最大电流效率为10.22cd/A。
- 刘丁菡张方辉马颖蒋谦姚毅阎洪刚
- 关键词：有机电致发光掺杂发光效率色纯度
- LCD液晶层电场的响应特性分析被引量：1
- 2009年
- 分析了液晶显示器在实际生产中时常出现的图像残留问题产生的原因,从理论上推导出了上下基板取向层与液晶分子交界面积累的累积电荷在液晶盒中产生的电场强度的定量关系.研究表明,当取向层PI的介电常数与电导率的比值和液晶的不相等时二者的交界面将产生电荷积聚;当其介电常数与电导率的比值相差越大时,图像残留越严重;当其驱动电压越大时,图像残留也越严重;当取向层的介电常数与电导率的比值和液晶的相等时二者的交界面将不产生电荷积聚,图像残留、显示速度减慢等问题也得以基本消除.本研究从理论上为解决液晶显示器的图像残留问题指出了方向.
- 张方辉姚毅张麦丽魏楠朱小娟
- 关键词：液晶显示器
- 空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响被引量：2
- 2010年
- 为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(Xnm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm:质量分数4.5%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光器件,其中X为空穴注入层2T-NATA厚度。分析了2T-NATA的蒸镀厚度分别0,5,10,15,20,25,30,35nm时器件的发光性能。结果表明,2T-NATA的HOMO能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,引入空穴注入层2T-NATA提高了器件的发光亮度和效率。当2T-NATA厚度为15nm时,器件的效果最好,起亮电压只需2.87V,亮度最高达到18000cd/m2,是不引入空穴注入层亮度的5倍多,在12V时发光效率可达11.4cd/A。
- 牟强姚毅张方辉靳宝安蒋谦
- 关键词：空穴注入层有机电致发光器件发光效率真空蒸镀
- 基于TBP掺杂的蓝光有机电致发光器件被引量：1
- 2010年
- 采用真空蒸镀法,制备了结构为ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBP(30nm,X)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的蓝光器件,X为TBP的掺杂浓度(质量分数),分别取0%,1%,2%,3%,4%,5%。实验结果表明:采用2T-NATA作为空穴注入层和掺杂TBP能够改善器件的发光亮度和发光效率,当TBP掺杂浓度为3%时,器件的效果最好,可获得稳定的蓝光器件,亮度最高达到5840cd/m2,比不掺杂TBP的亮度提高约0.7倍;7V时器件的最大电流效率为5.29cd/A,流明效率为21m/W,色坐标为(0.1529,0.2254)。
- 姚毅张方辉靳宝安蒋谦刘丁涵阎洪刚
- 关键词：TBP掺杂蓝光OLED
- 掺杂发光体对红色有机电致发光的影响(英文)被引量：2
- 2010年
- 为了研究掺杂发光体对红色有机电致发光二极管的增强效果,将DCJTB和C545T分别掺入Alq3,制备了双发光层的OLED器件,器件结构为玻璃/ITO/4 ,4′,4″-tris[2-naphthylphenyl-1-phenylamino]triphenyla-mine (2T-NATA)/N,N′-di (naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl benzidine ( NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum ( Alq3):4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6 (1 ,7 ,7 ,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4 H-pyran(DCJTB)/Alq3:10-(2-benzothiazolyl)-2 ,3 ,6 ,7-tetrahydro-1 ,1 ,7 ,7 ,-tetramethyl-1 H,5 H,11 H-(1)-benzopy-ropyrano-(6 ,7-8-i ,j)quinolizin-11-one (C545T)/Alq3/LiF/Al ,并且将其与单发光层的红、绿光器件相比较。实验结果表明,与单发光层的红光器件相比,加入绿光发光层的红光器件的发光特性被增强了,这种双发光层器件的最优掺杂比例为[Alq3:(2 .5 %)C545T]/[ Alq3:(1 .5 %)DCJTB](质量分数) ,在电压为11 .5 V时得到最大发光亮度为6 830 cd/ m2,在11 V电压时能得到4 .59 cd/A的最大电流效率。但是,这种方法的缺点是削弱了红光的色纯度。
- 蒋谦张方辉刘丁菡姚毅
- 关键词：亮度
- 考虑禁带情况下半导体的电子与空穴分布
- 2010年
- 在考虑禁带特性的情况下,从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布.以Si为例,利用MATLAB定量分析了不同能量时本征Si半导体中电子占据导带底的几率-温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率-能量关系.分析结果表明:导带中绝大多数电子分布在导带底附近,价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近;温度越高,电子占据导带底的几率越大,温度每升高20 K,电子占据的几率增加大约4到5倍;导带中能级具有的能量越高,电子占据该能级的几率越低,能量每增加0.02 eV,电子占据的几率下降大约1/2.
- 姚毅张方辉靳宝安张麦丽马颖
- 关键词：费米分布费米能级
