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文献类型

  • 75篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 63篇电池
  • 30篇隧道结
  • 29篇激光
  • 29篇衬底
  • 25篇晶格
  • 21篇太阳电池
  • 18篇光伏电池
  • 17篇光伏
  • 14篇电阻
  • 14篇太阳能电池
  • 13篇太阳能
  • 13篇晶格常数
  • 12篇激光器
  • 12篇级联
  • 11篇电池材料
  • 10篇电池效率
  • 9篇电极
  • 9篇晶格匹配
  • 8篇正装
  • 8篇太阳能电池材...

机构

  • 76篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 76篇孙玉润
  • 76篇董建荣
  • 76篇赵勇明
  • 76篇曾徐路
  • 76篇李奎龙
  • 76篇赵春雨
  • 76篇于淑珍
  • 72篇杨辉
  • 2篇肖燕
  • 2篇赵宇
  • 1篇何洋

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 7篇2017
  • 19篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 32篇2013
76 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1-x-y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Sub...
李奎龙董建荣孙玉润曾徐路赵勇明于淑珍赵春雨杨辉
文献传递
一种三结级联太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs<Sub>1‑x‑y</Sub>N<Sub>x</Sub>Bi<Sub>y</Su...
李奎龙董建荣孙玉润曾徐路赵勇明于淑珍赵春雨杨辉
文献传递
三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明涉及太阳能技术领域,尤其是几种三结级联太阳能电池,其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层;所述GaAs衬底底部设有下欧姆电极及所述GaAs接触层顶部还...
于淑珍董建荣李奎龙孙玉润曾徐路赵勇明赵春雨杨辉
文献传递
太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种设有石墨烯/金属纳米颗粒复合电极的太阳能电池,其从下至上依次包括衬底、电池层及顶电池窗口层,还包括分散在所述顶电池窗口层表面、并与所述顶电池窗口层成欧姆接触的金属纳米颗粒层,以及覆设于...
于淑珍董建荣李奎龙孙玉润曾徐路赵春雨赵勇明杨辉
文献传递
激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括一多量子阱结构,所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP,所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs,所述多量子阱结构的周期数为K,K的范围是3~20,并且,本...
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨
文献传递
倒装四结太阳电池及其制备方法
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法,所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池;GaAs子电池和InGaAsP子电...
孙玉润董建荣李奎龙曾徐路于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法
本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器,包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其中,所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激...
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
文献传递
半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区,所述有源区包括量子阱结构,所述量子阱结构中势阱层的材料为GaN<Sub>m</Sub>As<Sub>1-m-n</Sub>Bi<Sub>n</Sub>,所述量子阱结构中势垒层的材料为G...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
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一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种1300nm~1550nm含铋化物的半导体激光器,包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层,其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子...
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
文献传递
一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池,所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层,所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
文献传递
共8页<12345678>
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