樊晓华 作品数:11 被引量:15 H指数:3 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家科技重大专项 湖南省科技计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 机械工程 更多>>
一种全集成的RSSI电路 2014年 基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种全集成的接收信号强度指示计(RSSI)电路.该电路片内集成了限幅放大器,全波整流器,失调减法器,直流失调提取电路和输出缓冲器.该RSSI电路提供放大后的中频输出以及指示输入信号强度的RSSI电压输出.通过在直流失调提取电路中应用微电流偏置的跨导放大器,大幅减小了版图面积,提高了集成度,降低了成本.这种RSSI电路不仅适合低中频接收机,尤其适合于零中频应用.测试结果表明,电路实现了55dB的输入线性检测范围,同时占用版图面积为0.033mm2,功耗为3.1mA. 武振宇 樊晓华 张海英 叶甜春关键词:跨导放大器 零中频 低功耗高线性多频带Gm-C低通滤波器 2015年 基于翻转电压跟随器(Flipped Voltage Follower,FVF)的拓扑结构,实现了一种低功耗高线性的跨导器,跨导值可由控制电压精确改变。运用此跨导单元设计了一种适用于无线收发机系统的多频带Gm-C低通滤波器。该滤波器是由双二次节级联构成的六阶巴特沃斯型滤波器,可实现70 k Hz,140 k Hz和210 k Hz多频带选择。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计的滤波器的线性度IIP3大于22.6 d Bm,在1.8 V电源电压下消耗的功耗为1.37 m W。 张明敏 曾云 卫宝跃 樊晓华 张海英关键词:低通滤波器 跨导器 低功耗 高线性 多频带 一种超低静态功耗LDO的设计 被引量:1 2015年 介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺制作的LDO电路。电路采用工作在亚阈值区的跨导放大器使得电路工作在超低静态电流下,因此实现了超低静态功耗和高效率性能。整个电路所占面积约为0.8 mm2,在典型工作状态下电路总的静态电流约为500 n A,最大负载电流为150 m A。电路输入电压为3.3 V^5 V,输出电压为3 V。 刘博 刘欣 樊晓华 杨骏 张海英关键词:LDO 跨导放大器 亚阈值 UHF RFID阅读器中恒定调谐增益LC-VCO设计 2014年 设计了一种应用于UHFRFID阅读器的恒定调谐增益LC-VCO。VCO采用互补交叉耦合结构实现较高电源利用效率,偏置电路采用电压调节结构有效抑制电源引入的噪声。提出创新的分布式偏置容抗管阵列,以实现恒定调谐增益。电路采用TSMCO.18μmCMOSRF工艺设计。仿真结果表明,VCO的频率调谐范围为1.61~2.03GHz,在1MHz频偏处,相位噪声为-127dBc/Hz,电源电压1.8V,电路消耗的总电流为3.4mA。电路在保证低相位噪声和低电源噪声灵敏度的同时,工作频带内调谐增益的变化控制在±7%以内。 刘帅 王小松 陈晓哲 樊晓华 杨浩 张海英关键词:超高频射频识别 压控振荡器 一种低功耗宽带低噪声放大器 被引量:3 2017年 设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8V电源供电下的功耗仅为0.712mW,在3dB带宽0.043~1.493GHz范围内的峰值增益为20.44dB,最小噪声系数为4.024dB,输入3阶交调点为-3.73dBm。 杨中 蔡青松 樊晓华关键词:低噪声放大器 电流复用 宽带放大器 多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计 被引量:1 2014年 开关类功率放大器相对于传统的线性功率放大器有更高的效率,其中E类开关功率放大器由于其高效、易于实现等特点被广泛运用,但在低频率时E类功率放大器难以达到足够的输出功率和效率。设计实现的多频段开关功率放大器在高频段(433 MHz)采用E类匹配方式,在较低的频段(315 MHz、230 MHz)采用新颖的方波匹配。在Cadence软件平台下进行仿真及版图绘制,结果显示该多频段开关功率放大器各频段都实现了20 dBm的输出功率,漏极效率均达到40%,同时,通过控制晶体管尺寸,可以对输出功率进行数字控制。 颜永红 谌昊 樊晓华 刘昱 曾云关键词:多频段 功率放大器 无线通信中的低功耗维特比译码器设计 被引量:2 2014年 针对无线通信中低功耗维特比译码器设计结构复杂的问题,提出一种四级流水串并结合的(2,1,9)低功耗维特比译码器。该译码器采用改进的加-比-选(ACS)单元,以降低硬件复杂度,在提高时钟运行速率的基础上减少运行功耗。幸存路径存储单元采用改进的路径相消方法,减少译码器的输出延迟,提高译码效率。性能分析结果表明,基于TSMC 0.18μm CMOS逻辑工艺,在1.62V,125℃操作环境下,该译码器数据最大速度为50MHz,自动布局布线后的译码器芯片面积约为0.212mm2,功耗约为23.9mW。 朱坤顺 杨红官 樊晓华 乔树山关键词:维特比译码器 低功耗 幸存路径 适用于RoF的2.35GHz频率综合器 被引量:3 2013年 在0.18μm 1P6M CMOS工艺上实现了一款适应于光纤无线电系统的分数分频锁相环型频率综合器。锁相环环路由鉴频鉴相器、电荷泵、片外三阶低通环路滤波器、LC压控振荡器、正交I/Q高频除2分频器、可编程分频器、Δ-∑调制器组成。重点设计了宽线性调谐范围的压控振荡器、高性能的电荷泵和线性的鉴频鉴相器。测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为2.16~2.65 GHz;锁定频率为2.35 GHz时,频偏1 MHz处的相位噪声为-120.9 dBc/Hz;带内相位噪声性能在频偏1 kHz时为-79.9 dBc/Hz,10 kHz时为-71.3 dBc/Hz;1 MHz处的参考杂散为-50 dBc,满足光纤无线电系统性能指标的要求。 洪丽 王小松 李志强 尹喜珍 樊晓华 张海英关键词:频率综合器 高精度Σ-Δ ADC中多通道数字抽取滤波器的设计 被引量:1 2015年 针对传统ADC转换精度较低的缺陷,提出一种24位高精度Σ-ΔADC的系统设计方法,并完成了数字抽取滤波器的版图设计.数字抽取滤波器主要由控制模块、7级CIC滤波器、FIR补偿滤波器、FIR抽取滤波器组成.采用抽取因子可调的多级CIC抽取滤波器结构,有8种输出采样率可供选择,以适应带宽不同的信号.整体滤波器的通带波纹小于0.05dB,阻带衰减不低于130dB.采用通道间时分复用的方法,相比传统时分复用进一步减少了电路中加法器和乘法器.采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积平均每通道约为0.81mm2,输出采样率为500SPS时,平均每通道功耗约为18.26mW. 王鑫 樊晓华 吴书园关键词:ADC 多通道 RFID系统中的低通滤波器设计 被引量:4 2013年 介绍了一种用于RFID系统的有源RC低通滤波器。该滤波器是一个6阶巴特沃斯型滤波器,包含三个级联的Tow-Thomas二次节。采用直流失调消除电路,有效地降低了直流失调;使用自动频率校准电路来消除温度、工艺和电压波动等对滤波器截止频率的影响。仿真结果显示,该滤波器电路的截止频率可达1.3 MHz,通带增益6dB,12dB,18dB,24dB可调,调谐精度为5%,线性度IIP3可达到17.6dBm。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.6mm2,工作电压为1.8V,消耗电流3mA。 惠欣 陈晓哲 樊晓华 杨浩 张海英关键词:无线射频识别