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王红妮

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:西华大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金西华大学研究生创新基金教育部“春晖计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇陶瓷
  • 4篇电性能
  • 4篇介电
  • 4篇介电性
  • 4篇介电性能
  • 2篇陶瓷结构
  • 2篇ZN
  • 2篇BI
  • 2篇BI1
  • 1篇氧化镁
  • 1篇氧位
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇陶瓷介电
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇相结构
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇化学特性

机构

  • 6篇西华大学

作者

  • 6篇王红妮
  • 5篇丁士华
  • 5篇宋天秀
  • 3篇涂伟
  • 3篇张静
  • 2篇彭勇
  • 1篇徐琴
  • 1篇吴小亮
  • 1篇杨晓静

传媒

  • 4篇西华大学学报...
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
a-BZN基陶瓷介电性能研究
Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)陶瓷是一类具有烧结温度低、介电常数高、低频介电损耗低、可与Au、Ag、Cu等共烧的陶瓷,能用于多层陶瓷电容器、微波震荡器、滤波器等器件。然而它在微波频率下介电损耗大,在低温(100...
王红妮
关键词:介电性能化学特性
文献传递
CaF_2掺杂对α-BZN陶瓷结构与介电性能的影响被引量:1
2012年
采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7-yFy(0.00≤x≤0.20,以下简称BZN-x)陶瓷样品,研究了Ca2+、F-共掺杂对BZN-x陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响。结果表明:BZN-x陶瓷样品的最佳烧结温度为1 020℃,CaF2在α-BZN中的固溶度是0.05,伴随着CaF2掺杂量的增加,介电常数逐渐减小,而介电损耗先减小然后又微弱增加(测试频率为1 MHz时)。通过介电损耗、电阻率的变化确认了CaF2掺入α-BZN后的缺陷补偿方式,同时也证实随着掺杂量的增加,介电常数峰值温度向低温移动与缺陷补偿方式有关。
丁士华彭勇王红妮宋天秀徐琴吴小亮
关键词:介电性能掺杂
Bi_(1.5-x)Ca_xZnNb_(1.5)O_7陶瓷结构、介电性能与结晶化学特性被引量:2
2012年
采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7(0≤x≤0.50,BCZN)陶瓷,研究Ca2+替代Bi3+对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷烧结特性、显微结构、介电性能和结晶化学特性的影响.结果表明:替代量x≤0.25 mol时,样品为单一的α-BZN相.随着Ca2+替代量增加,样品最佳烧结温度从1000℃升高到1020℃;致密度从7.011 g/cm3减小到6.353 g/cm3;样品晶粒尺寸、晶格常数、电阻率均减小;结晶化学参数键价和,AV(O')[Bi4]、AV(O')[Bi3Zn]、AV(O')[Bi2Zn2]和AV(O')[Ca3Zn]均增大,且该行为与其晶格常数、介电性能变化相吻合.
王红妮丁士华宋天秀涂伟张静
关键词:BI1晶格常数介电性能
热处理工艺参数对TiO_2成膜性的影响
2012年
采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以钛酸丁酯、冰乙酸、乙酰丙酮、无水乙醇、去离子水为原料,制取TiO2薄膜,研究热处理工艺对TiO2成膜性的影响,结果表明,获得均匀连续的TiO2薄膜的工艺参数为:匀胶转速为3000r/min;镀膜时预处理温度为80℃、预处理时间为10 min;室温至200℃阶段的烧结升温速率为0.5℃/min,高温阶段为3℃/min;经500℃烧结热处理后得到锐钛矿结构,薄膜晶粒尺寸均在30~80 nm的范围之内。
张静丁士华杨晓静宋天秀涂伟王红妮
关键词:溶胶-凝胶TIO2
掺杂氧位Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7陶瓷结晶化学与介电性能
2014年
用F-替代氧离子O2-,采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7(0.00≤x≤0.30,简称C-x)、Bi1.5-x CaxZnNb1.5O7-yFy(0.00≤x≤0.20,简称CF-x)陶瓷样品,研究F-添加的缺陷补偿形式、替代位置,以及对Ca2+掺杂的Bi1.5ZnNb1.5O7(简称α-BZN)陶瓷的相结构、结晶化学和介电性能的影响。结果表明:F-的引入降低了Ca2+在α-BZN陶瓷的固溶度,替代八面体BO6的氧位;在等量Ca2+掺杂的情况下,引入F-进入体系后,样品的介电常数减小,介电损耗下降,这与F-引入α-BZN陶瓷后,四面体A4O'键价和比Ca2+单独掺杂时高一致;F-替代导致介电峰值温度均向高温移动,这可能与F-的添加导致激活能增加有关。
丁士华彭勇王红妮宋天秀
关键词:BI1相结构介电性能
包覆MgO对BaTiO_3基陶瓷性能的影响被引量:2
2012年
采用均匀沉淀法将MgO均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面,制备包覆MgO的BaTiO3基陶瓷复合粒子,研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响。实验表明:包覆剂MgO能有效抑制晶粒长大,从而获得晶粒均匀的陶瓷,此细晶效应是由于晶界区MgO的抑制作用;MgO有助于形成"壳一芯"结构晶粒,降低并展宽BaTiO3基陶瓷的ε峰,增加电阻率和击穿电压强度。
涂伟丁士华宋天秀王红妮张静
关键词:钛酸钡氧化镁包覆
共1页<1>
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