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董亚斌: 作品数：23 被引量：10H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：中国科学院科研装备研制项目国家科技重大专项更多>>; 相关领域：化学工程电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

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原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法: 本发明公开原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，其包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循...; 卢维尔夏洋李超波张阳董亚斌; 文献传递

用于施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法: 本发明公开一种施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂...; 卢维尔夏洋李超波董亚斌; 文献传递

原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法: 本发明公开一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂...; 卢维尔夏洋李超波董亚斌; 文献传递

AlON/TiAlON_D/TiAlON_M/Cu光谱选择性吸收涂层高温真空稳定性研究: 2016年; 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了AlON/TiAlON_D/TiAlON_M/Cu选择性吸收涂层高温真空条件下显微形貌、结构与化学成分的变化。结果表明,退火前后选择性吸收涂层的多层膜结构和微观形貌保持稳定。制备态涂层的AlON层和TiAlON_D层为非晶结构,TiAlON_M层由非晶基体和分散的晶粒组成。550℃高温真空退火24 h后,TiAlON_M层发生晶化,晶粒长大。退火过程中,O元素从AlON层扩散至TiAlON双吸收层,而N元素从TiAlON双吸收层扩散至AlON层,同时膜层界面区域变宽。高温真空处理后涂层的吸收率略有降低,而发射率保持不变。晶化导致TiAlON_M层吸光性能下降,以及N和O元素扩散导致最优化结构被破坏是涂层吸收率衰减的主要原因。涂层在真空下热稳定激活能为189.5 k J·mol^(-1),表明涂层具有较好的热稳定性。; 董亚斌杜淼刘晓鹏郝雷; 关键词：选择性吸收涂层晶化激活能

一种利用ALD制备栅介质结构的方法: 本发明涉及制备集成电路器件的技术领域，具体涉及一种利用ALD制备栅介质结构的方法。所述方法，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO<Sub>2</Sub>；步骤(...; 董亚斌夏洋李超波张阳; 文献传递

原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法: 本发明公开一种原子层沉积制备N‑Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂...; 卢维尔夏洋李超波董亚斌; 文献传递

基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法: 本发明公开一种基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后依次进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主...; 卢维尔夏洋李超波张阳解婧董亚斌; 文献传递

一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法: 本发明公开了一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，属于氧化锌薄膜制备技术领域。所述方法包括：原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；原子层沉积设备通入含铝源气体和含氧...; 张阳董亚斌卢维尔解婧李超波夏洋; 文献传递

一种原子层沉积设备: 本发明涉及微电子器件制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通...; 董亚斌夏洋李超波张阳; 文献传递

一种利用ALD制备栅介质结构的方法: 本发明涉及制备集成电路器件的技术领域，具体涉及一种利用ALD制备栅介质结构的方法。所述方法，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO<Sub>2</Sub>；步骤(...; 董亚斌夏洋李超波张阳; 文献传递