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韩群飞

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇低温共烧陶瓷
  • 4篇滤波器
  • 4篇LTCC
  • 3篇带通
  • 3篇带通滤波
  • 3篇带通滤波器
  • 2篇宽带
  • 1篇氮化镓
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇移相器
  • 1篇矢量
  • 1篇矢量调制器
  • 1篇通孔
  • 1篇阻带
  • 1篇阻带抑制
  • 1篇微型化
  • 1篇谐波
  • 1篇谐波抑制
  • 1篇芯片

机构

  • 5篇南京理工大学
  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 7篇韩群飞
  • 5篇戴永胜
  • 4篇谢秋月
  • 4篇左同生
  • 4篇尹洪浩
  • 2篇李思其
  • 2篇沈宏昌
  • 2篇徐波
  • 1篇潘晓枫
  • 1篇任春江
  • 1篇曲俊达
  • 1篇沈亚
  • 1篇郭风英

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇微波学报
  • 1篇电讯技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器的研究
2012年
研究了一种C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器,其结构紧凑,尺寸小。LTCC叠层技术是实现高性能、高可靠、微型化微波元件的主流技术之一,尤其是在提高电路集成度方面。Lange耦合器由于其特殊的结构使得其可以实现宽频带、高性能。设计、制作了一种中心频率为4GHz的宽带3dB Lange耦合器,尺寸仅为7.0mm×2.2mm×1.4mm。在2.0～6.0GHz频带内测试结果如下:插入损耗<0.3dB,反射损耗<21dB,隔离>27dB,相位平衡<90±3°,最大承受功率<40W(连续波)。测试与仿真结果较吻合,验证了研究结果的一致性。
戴永胜谢秋月韩群飞尹洪浩左同生
关键词：低温共烧陶瓷LANGE耦合器微型化
宽带GaN大功率单刀双掷开关设计被引量：1
2015年
设计了一款基于MMIC工艺的宽带GaN大功率单刀双掷开关芯片,该款GaN开关芯片电路采用一个串管两并管的结构。在小信号开关芯片设计的基础上,利用了功率开关容量的理论公式,并结合电路仿真以及电磁场仿真,辅之以DOE(Design of experiment)方法设计。开关芯片实测结果表明:在DC-12GHz频带内,插入损耗<1.2dB,隔离度>40dB,P-0.1>44dBm,体积仅为1.8mm×1.0mm×0.1mm。
沈宏昌任春江韩群飞徐波李思其
关键词：宽带氮化镓大功率开关
基于DGS与半集总结构的新型LTCC超宽带滤波器被引量：1
2013年
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的新型超宽带(UWB,)带通滤波器。该款滤波器结合了半集总高通结构与缺陷地(DGS)结构,利用半集总结构实现截止频率为3.1GHz的高通滤波器,再结合DGS在高端产生阻带,从而实现通带为3.1～10.6GHz的带通滤波器,尺寸仅为3.2mm×1.6mm×1.2mm。实测结果表明:插入损耗<1.5dB,反射损耗<12dB,群时延<0.8ns,带外抑制>15dB(11.5～17GHz)。测试与仿真结果较为吻合。此种LTCC滤波器结构具有尺寸小、插损小、群时延小等优点,而且结构简单,带宽和中心频率容易控制,相对带宽可做到150%以上,特别适合用于极宽带通信系统的频率选择。
戴永胜郭风英韩群飞
基于GaAs工艺的新型I-Q矢量调制器芯片设计被引量：1
2016年
在传统的单平衡式I-Q矢量调制器的基础上,提出了一种新颖的I-Q矢量调制方法。通过采用180°模拟移相器替代传统的双相调制器和衰减器,从而降低了插入损耗并减小了芯片面积。最终,本文采用0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计出了一款K波段单片集成的I-Q矢量调制器。实测结果表明:在21~23GHz频带内,该芯片实现了0到360°的连续变化的相位调制,其幅度调制深度大于20dB,插入损耗小于11.2dB。
沈宏昌沈亚潘晓枫徐波李思其曲俊达韩群飞
关键词：GAAS模拟移相器矢量调制器
具有谐波抑制特性的LTCC带通滤波器新设计被引量：2
2012年
提出了一种新型的具有多次谐波抑制功能的低温共烧陶瓷（眦c）微型带通滤波器，该滤波器电路由电感耦合的四阶谐振腔组成。在一般抽头式梳状线滤波器设计的基础上，引入了交叉耦合，通过改进其结构，形成了多个传输零点，并结合电路仿真以及三维电磁场仿真，辅之以DOE（DesignofEx—perirnent）的设计方法，设计出了一种尺寸小、频率选择性好、阻带宽的滤波器。实际测试结果与仿真结果吻合较好，中心频率为13．4GHz，其3dB带宽为200MHz，在15．5～35G比频率上的衰减均优于20dB，体积仅为3．2mm×1．6mm×1．2mm。所提方法对滤波器谐波抑制的设计具有指导作用。
戴永胜韩群飞尹洪浩左同生谢秋月
关键词：带通滤波器低温共烧陶瓷谐波抑制
高阻带抑制LTCC滤波器的设计与实现被引量：1
2013年
提出了一种基于LTCC技术的新型高阻带抑制带通滤波器的实现方法。采用在并联谐振器的圆柱形电感之间引入感性耦合,在高阻带产生一个传输零点,并且能实现非常好的阻带衰减性能。本文对传统的梳状线带通滤波器结构进行改进,利用过孔的寄生电感效应,将过孔用作谐振杆,明显减小了器件的尺寸。并且通过利用空间耦合的寄生效应,实现滤波器的阻带高抑制传输零点,以满足了对特殊频点高抑制的要求。运用该方法设计了中心频率1.65GHz,通带200MHz,带外2GHz处衰减大于60dBc的五级带通滤波器。实物测试结果和全波电磁仿真结果吻合较好。
戴永胜左同生谢秋月韩群飞尹洪浩
关键词：低温共烧陶瓷带通滤波器
超短波LTCC带通滤波器的设计与实现
2012年
设计了一款中心频率为244 MHz的超短波带通滤波器,该滤波器是基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术实现。由于滤波器频率较低,波长较长,为了使其体积较小,结构也相对简单,在设计中采用半集总半分布结构来实现。通过调节各谐振单元之间的耦合,分别在阻带的低端和高端引入两个传输零点,从而有效地提高了滤波器的带外抑制。借助三维仿真软件进行优化仿真,设计出了一个具有四级谐振器、尺寸为4.5 mm×3.2 mm×1.5 mm的超短波带通滤波器。实测结果表明,输入输出电压驻波比〈1.5,带外抑制≥42 dB（340~1 000 MHz）,与设计仿真结果较为吻合。
戴永胜尹洪浩左同生谢秋月韩群飞
关键词：带通滤波器超短波低温共烧陶瓷
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