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刘洪

作品数:4 被引量:4H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学

主题

  • 4篇压电
  • 3篇单晶
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电单晶
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸铋
  • 3篇钛酸铋钠
  • 2篇电性能
  • 2篇压电常数
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇介电
  • 2篇介电弛豫
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇机电耦合系数
  • 2篇TIO3
  • 2篇BI1/2
  • 2篇弛豫
  • 1篇坩埚下降法

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 4篇罗豪甦
  • 4篇刘洪
  • 3篇赵祥永
  • 3篇林迪
  • 3篇葛文伟
  • 2篇徐海清
  • 2篇江向平
  • 2篇潘晓明
  • 2篇李晓兵
  • 1篇陈超
  • 1篇张钦辉

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
分凝对0.80Na1/2Bi1/2TiO3-0.20BaTiO3铁电单晶电学性能的影响被引量:2
2009年
采用坩埚下降法生长了尺寸为2mm×70mm的0.80Na1/2Bi1/2TiO3-0.20BaTiO3(0.80NBT-0.20BT)无铅铁电单晶。通过X射线荧光分析研究了晶体中的分凝现象。结果表明:该单晶沿其纵向生长方向由顶部至底部,BaTiO3(BT)含量逐渐增加,晶体棒底部BT含量为32.15坂摩尔分数,下同),而顶部BT含量为14.26%。XRD分析表明:室温下晶体棒为四方相钙钛矿结构。随着BT含量增加,室温下晶体[001]方向的介电常数减小,去极化温度升高。位于晶体棒中间部位的晶体样品0.81NBT-0.19BT的压电性能最佳,室温下该样品在[001]方向的电学性能指标分别为:压电系数d33=158pC/N,机电耦合系数ki=0.463。
陈超江向平林迪刘洪张钦辉罗豪甦
关键词:铁电单晶介电弛豫压电性能坩埚下降法
钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法
钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法,属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法,包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度10~50rpm,提拉速率0.1~20mm/day,降温速率为1~20℃...
葛文伟罗豪甦刘洪赵祥永林迪李晓兵徐海清潘晓明
文献传递
0.94Na1/2Bi1/2TiO3-0.06BaTiO3无铅压电单晶的生长及电学性能研究被引量:2
2008年
采用坩埚下降法成功生长出尺寸达φ15mm×50mm的0.94Na1/2Bi1/2TiO3-06BaTiO3(NBBT94/6)无铅压电单晶。利用X射线荧光沿纵向对晶体棒成分分析表明:Na+、Bi3+、Ti3+离子的含量沿纵向波动较小,而Ba2+离子的含量却波动较大。XRD结构分析表明,晶体棒的中、下部分属于三方相钙钛矿结构,而上部转变为四方相钙钛矿结构。详细研究晶体棒中部0.952Na1/2Bi1/2TiO3-0.048BaTiO3(NBBT95.2/4.8)的介电及压电行为表明:非自发极化方向[001]、[110]样品的退极化温度乃分别为200℃和150℃,具有明显的结晶学方向依赖性,且在Td附近表现出典型的介电弛豫行为;在3~5kV/mm电压极化下,[001]、[110]方向样品的最大压电系数d33分别为165pC/N、110pC/N,机电耦合系数k1分别为49.8%、45.0%。
刘洪葛文伟江向平赵祥永罗豪甦
关键词:钛酸铋钠无铅介电弛豫压电性能
钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法
钛酸铋钠-钛酸钡铁电单晶的制备方法,属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法,包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度10~50rpm,提拉速率0.1~20mm/day,降温速率为1~20℃...
葛文伟罗豪甦刘洪赵祥永林迪李晓兵徐海清潘晓明
文献传递
共1页<1>
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