陈庆永
- 作品数：14 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 氧化钴催化薄膜的制备及在微量氨检测中的应用
- 2009年
- 利用溅射法在多孔聚四氟乙烯薄膜上制备了铂金属和金属钴,利用阳极氧化法将金属钴氧化成氧化钴,并将氧化钴制成工作电极;在相同的聚四氟乙烯薄膜上制备了铂黑电极,以氢气为参比气体。选择电极工作电位为0.33 V,检测合成氨联醇工艺原料气中微量氨的含量。检测器对体积分数1.0×10-6的氨气输出电流27.8μA,检出限为体积分数0.08×10-6,响应速度45 s,恢复速度100 s,氨气浓度在0～2.0×10-6范围内,检测器电流输出与氨气浓度呈线性关系。
- 董汉鹏陈庆永夏善红
- 关键词：氧化钴
- 一种氧化钴气体扩散电极的制备方法
- 本发明公开了一种氧化钴催化剂气体扩散电极的制备方法，涉及气体扩散电极技术，该制备方法，以氧化钴为催化剂；包括：A)在疏水透气的多孔聚合物薄膜表面溅射金属材料制备一层惰性电极；B)再在惰性电极的表面利用溅射法沉积制备一层金...
- 董汉鹏陈庆永夏善红
- 文献传递
- TbDyFe薄膜对三明治膜巨磁阻抗效应的影响
- 2006年
- 将600℃退火后的超磁致伸缩材料(Tb_(0·27)Dy_(0·73))_(0·3)Fe_(0·7)薄膜作为Ni_(80·2)Fe_(14·1)Si_(0·2)Mn_(0·4)Mo_(5·1)三明治膜的基底,制备出四层膜.结果表明:附加的磁致伸缩并没有减小材料的巨磁阻抗(GMI)效应,而由于磁场下磁致伸缩材料的应力效应影响了三明治膜中的各向异性场,使三明治膜的GMI效应增大了4倍.再将制备态的四层膜在280℃下真空退火,退火态四层膜也增大了三明治膜的GMI效应,但可能由于磁致伸缩向磁性层中的扩散,其GMI效应相对于制备态四层膜则有所降低.
- 邵明辉陈庆永郑鹉
- 关键词：各向异性场
- 传感器芯片系统研究与应用被引量：1
- 2009年
- 基于微纳制造、微电子等技术的传感器芯片系统具有体积小、质量轻、功耗低、易于批量化生产、成本低、易于集成化等优点,是传感技术领域的一个重要研究方向。近年来相关的研究主要包括微纳传感器芯片、微传感器阵列、多传感器集成芯片系统、传感器与电路集成芯片系统、微流控芯片系统、无线网络传感器节点芯片系统等。文中分别以糖化血红蛋白免疫传感器、催化燃烧气体传感器和电场传感器为例,简要介绍若干典型的生物量、化学量和物理量微传感器系统及其应用。
- 夏善红边超孙楫舟陈贤祥彭春荣董汉鹏陈庆永佟建华郑凤杰张虹
- 关键词：传感器芯片系统
- 界面插Mn对CoFe／CrPt双层膜交换耦合的影响
- 用共溅射的方法制备CoFe／CrPt(x)、 CoFe／Mn／CrPt(x)薄膜。通过改变反铁磁层的厚度,研究影响交换偏置的因素。结果表明:界面结构、反铁磁层厚度都对交换偏置产生重要作用。在CoFe／CrPt双层膜中,反...
- 陈红燕陈庆永李岩姜宏伟
- 关键词：交换偏置
- 文献传递
- 不同缓冲层和保护层对NiFe/PtMn双层膜磁性的影响被引量：4
- 2006年
- 制备了以Ta和非磁性N iFeCr作为缓冲层和保护层的N iFe/PtMn双层膜,研究了它们的结构和物性,结果表明:用N iFeCr做缓冲层和保护层的N iFe/PtMn双层膜,其交换偏置场比以Ta为缓冲层和保护层的N iFe/PtMn的交换偏置场有了10%的提高;退火处理以后,以N iFeCr为缓冲层和保护层的样品的磁性层N iFe的磁矩降低要小于以Ta为缓冲层和保护层的样品的磁性层N iFe的磁矩降低。同时,XRD测量计算发现,以N iFeCr为缓冲层生长的N iFe/PtMn样品比Ta为缓冲层生长的N iFe/PtMn样品具有更好的织构,更大的平均晶粒尺寸,因而具有更好的热稳定性。N iFeCr比Ta更适合做基于Mn合金为反铁磁层的缓冲层和保护层。
- 陈庆永邵明辉姜宏伟郑鹉王艾玲
- 关键词：巨磁电阻交换偏置热稳定性
- 锥体形微池阵列立体结构电极制备方法
- 本发明公开了一种锥体形微池阵列立体结构电极制备方法，涉及微电极加工技术，是基于体硅加工工艺，采用硅的各向异性湿法腐蚀技术在微小硅片表面向下腐蚀出微池阵列结构，并配合响应的绝缘处理及溅射铂/金等工艺，完成立体结构微电极的制...
- 孙楫舟夏善红边超董汉鹏陈庆永
- 文献传递
- 传感器芯片系统研究与应用
- 基于微纳制造、微电子等技术的传感器芯片系统具有体积小、质量轻、功耗低、易于批量化生产、成本低、易于集成化等优点,是传感技术领域的一个重要研究方向。近年来相关的研究主要包括微纳传感器芯片、微传感器阵列、多传感器集成芯片系统...
- 夏善红张虹边超孙楫舟陈贤祥彭春荣董汉鹏陈庆永佟建华郑凤杰
- 关键词：微型传感器芯片系统免疫传感器催化燃烧气体传感器电场传感器
- 文献传递
- NiFe//PtMn系统中交换偏置现象的研究
- 铁磁层／反铁磁体系的交换偏置效应，由于其在巨磁电阻效应的磁电子器件中的广泛应用，成为目前研究的热点之一。本文中我们系统研究了NiFe／PtMn体系的交换偏置效应。
用直流磁控溅射法制备了不...
- 陈庆永
- 关键词：交换偏置热稳定性
- 文献传递
- 热处理对NiP/CoNiP薄膜织构和磁性能的影响
- 2007年
- 用化学镀的方法制取了NiP/CoNiP薄膜并将样品进行真空热处理。用XRD、VSM、EDS等测试手段分析了热处理影响薄膜结构和磁性能变化的原因。结果发现,热处理使薄膜的结构发生了由α-Co向β-Co的同素异构转变;经热处理后晶粒尺寸长大到30 nm左右;经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到5.57×104 A/m;经400℃热处理后矩形比达到0.28。
- 张巧红郑鹉马亮陈庆永
- 关键词：电子技术磁性能
