张兴刚
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>
- Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究被引量：1
- 2005年
- 采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。
- 孙金池刘正堂张兴刚崔虎李阳平
- 关键词：磁控溅射
- 溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大。I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能。
- 张兴刚刘正堂孙金池闫锋刘文婷
- 关键词：磁控溅射溅射功率欧姆接触
- CdZnTe半导体探测器电极研究
- 目前CdZnTe晶体是制备x射线及γ射线探测器最优选的材料。CdZnTe探测器可广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。制备CdZnTe探测器的关键技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触的薄膜电极...
- 张兴刚
- 关键词：导电薄膜欧姆接触磁控溅射半导体探测器电极
- 文献传递
- 提高蓝宝石高温强度和透过率的研究被引量：8
- 2007年
- 在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上利用射频磁控反应溅射法制备出SiO2/Si3N4双层增透膜系,并对镀膜后的蓝宝石进行了高温强度测试及其透过率的研究.研究表明:镀膜后蓝宝石的高温强度和透过率均有明显提高;800℃时,镀膜蓝宝石的高温强度比未镀膜提高了41.0%;在3-5μm波段范围内,室温下镀膜后透过率比镀膜前提高8.0%;SiO2/Si3N4膜系具有较高的热稳定性,且与蓝宝石衬底附着良好.
- 李强刘正堂冯丽萍宋文燕张兴刚闫锋
- 关键词：磁控溅射蓝宝石高温强度透过率
- 射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响被引量：4
- 2005年
- 采用射频磁控溅射工艺以Cu/A g合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxT e上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系(I-U)测试表明在高阻Cd1-xZnxT e上溅射Cu/A g薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性,溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。
- 孙金池刘正堂李阳平冯丽萍张兴刚
- 关键词：射频磁控溅射溅射功率欧姆接触
