李战春
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀
- 2008年
- 在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀,使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建立了包括高能中性粒子贡献的刻蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×10^15/（cm^2·s）以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5-10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.
- 李战春尹盛赵亮王敬义
- 关键词：等离子体沉降时间刻蚀速率
- 粉尘等离子体的研究
- 2008年
- 在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响，讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
- 尹盛赵亮李战春王敬义
- 关键词：刻蚀速率
- 平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量：1
- 2007年
- 利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、放电电压以及反应室尺寸等参数表示，为工艺优化提供了理论依据。
- 尹盛王飞李战春王敬义
- 关键词：等离子体鞘层分布函数刻蚀速率
- 圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布被引量：3
- 2006年
- 针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.
- 李战春王敬义陶甫廷冯信华
- 关键词：等离子体鞘层分布函数
- 硅粉在直流氩等离子体中的刻蚀提纯被引量：1
- 2007年
- 介绍了一种用直流氩等离子体对硅粉刻蚀提纯的方法。实验结果表明硅粉纯度可由99.6%提高到99.95%。处理后的硅粉还可进行熔化—固化—粉碎再处理,因此这是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能中性粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析,结果显示,在一定的工艺参数下,刻蚀提纯是有效的,并与实验结果相近。这也为粉体表面刻蚀研究提供了一种新的手段。
- 尹盛王敬义李战春张繁沈亮赵伯芳
