程海英
- 作品数：12 被引量：36H指数：4
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构
- 本发明涉及一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片...
- 方文卿蒲勇程海英陈炳安赵鹏杨超普
- δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究被引量：5
- 2006年
- 用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度。结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小。通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱I、-V特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好。
- 程海英方文卿莫春兰刘和初王立江风益
- 关键词：薄膜光学GANSI衬底Δ掺杂
- MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
- 程海英王立方文卿蒲勇郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNOMOCVDX射线衍射光致发光
- Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
- 介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED，采用硅胶封装后，在正向60mA电流下，工作电压为3.37V，主波长520nm，光功率23mW。对该批次样管的裸芯...
- 程海英毛清华汤英文江风益
- 关键词：氮化镓功率型可靠性
- 文献传递
- 转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响被引量：17
- 2008年
- 在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
- 邝海刘军林程海英江风益
- 关键词：光学材料SI衬底硅基板
- Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
- 介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED,采用硅胶封装后,在正向60 mA电流下,工作电压为3.37 V,主波长520 nm,光功率23 mW。对该批次样...
- 程海英毛清华汤英文江风益
- 关键词：氮化镓功率型可靠性
- 文献传递
- 硅衬底GaN材料生长及其LED老化性能研究
- GaN为宽禁带半导体材料，在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景，因而倍受关注、发展十分迅速。目前，蓝宝石衬底是GaN异质外延最常用的衬底材料，但蓝宝石衬底本身不导电并且解理困难。相比而言，硅衬底则是一类极具发展潜...
- 程海英
- 关键词：GANΔ掺杂MOCVDZNO
- 文献传递
- 一种新型园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构
- 本实用新型涉及一种新型园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线...
- 方文卿蒲勇程海英陈炳安赵鹏杨超普
- 文献传递
- AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量：5
- 2014年
- 利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。
- 刘军林熊传兵程海英张建立毛清华吴小明全知觉王小兰王光绪莫春兰江风益
- 关键词：氮化镓硅衬底
- p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：2
- 2010年
- 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
- 毛清华江风益程海英郑畅达
- 关键词：绿光LED
