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吕铭

作品数：14 被引量：9H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电子浆料
  • 4篇化学镀
  • 4篇共形
  • 4篇厚膜
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷基
  • 3篇陶瓷基板
  • 3篇基板
  • 3篇激光
  • 2篇导电
  • 2篇导电能力
  • 2篇电镀
  • 2篇电能
  • 2篇电偶
  • 2篇电子制造
  • 2篇电子制造技术
  • 2篇氧化钯
  • 2篇冶金结合
  • 2篇一体化
  • 2篇预先设计

机构

  • 14篇华中科技大学

作者

  • 14篇曾晓雁
  • 14篇吕铭
  • 6篇刘建国
  • 1篇王素焕
  • 1篇刘建国

传媒

  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高精度陶瓷电路板的制作方法
本发明公开了一种高精度陶瓷电路板的制作方法，包括将激光照射在覆盖了钯离子固态薄膜的陶瓷基板表面，控制激光能量密度达到基板改性阈值以上，使陶瓷基板表面形成V型微槽结构，该微槽内钯离子被还原成原子态并在高温下与氧原子结合形成...
吕铭曾晓雁刘建国
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一种陶瓷电路板的制作方法
本发明属于导电线路板制作相关技术领域，其公开了一种陶瓷电路板的制作方法，该制作方法包括以下步骤：(1)预置前驱体于陶瓷基板的表面上；(2)利用激光按照预设电路图形轨迹辐照所述前驱体所在的陶瓷基板的表面以实现所述陶瓷基板的...
吕铭曾晓雁吴烈鑫欧阳韬源
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一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法
本发明公开了一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法及产品，属于多层天线制造领域，包括：S1采用3D打印方式制备支撑结构基体，S2在步骤S1获得的支撑结构基体表面制备具有催化能力的活化图案，S3在活化图案上沉积金属，获得...
曾晓雁欧阳韬源吴烈鑫吕铭王月月凌怡辰
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一种高精度陶瓷电路板的制作方法
本发明公开了一种高精度陶瓷电路板的制作方法，包括将激光照射在覆盖了钯离子固态薄膜的陶瓷基板表面，控制激光能量密度达到基板改性阈值以上，使陶瓷基板表面形成V型微槽结构，该微槽内钯离子被还原成原子态并在高温下与氧原子结合形成...
吕铭曾晓雁刘建国
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一种基于激光直写工艺在三维表面制备厚膜热电偶的方法
本发明公开了一种基于激光直写工艺在三维表面制备厚膜热电偶的方法，涉及激光微加工和膜传感器技术领域，其包括：S1准备电子浆料；S2计算获得不同浆料在曲面上的复合直写的工艺参数；S3：在待制备热电偶的曲面上制备绝缘介质层；S...
曾晓雁欧阳韬源吕铭刘建国
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一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法以及产品
本发明公开了一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法及产品，属于多层天线制造领域，包括：S1采用3D打印方式制备支撑结构基体，S2在步骤S1获得的支撑结构基体表面制备具有催化能力的活化图案，S3在活化图案上沉积金属，获得...
曾晓雁欧阳韬源吴烈鑫吕铭王月月凌怡辰
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一种厚膜热流计的共形制备方法以及产品
本发明公开了一种厚膜热流计的共形制备方法，属于厚膜传感器领域，包括：S1在基体待测部位制备凹槽，凹槽用于提供制备热阻层的场所，S2在凹槽中制备热阻层，S3制备绝缘层，S4在绝缘层上制备热电正极、热电负极和热结点，形成热电...
曾晓雁欧阳韬源凌怡辰吕铭王月月吴烈鑫
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陶瓷基板表面导电线路的制作与修复方法
本发明旨在提出一种在二维或三维陶瓷材料表面制作与修复电线路的通用方法，即利用激光束，按照预先设计的线路图案，对预覆有特定金属的离子或络离子的陶瓷材料表面进行加工处理，然后实施化学镀，就能得到所需的导电线路。该技术能够在多...
吕铭刘建国曾晓雁
一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法
本发明属于电子制造相关技术领域，其公开了一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法，该方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光在DBC基板上切割出通孔，所述通孔贯穿所述DBC基板，且其孔壁上熔覆有铜籽晶薄层，所述铜籽晶薄层...
吕铭曾晓雁欧阳韬源吴列鑫
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一种基于激光直写工艺在三维表面制备厚膜热电偶的方法
本发明公开了一种基于激光直写工艺在三维表面制备厚膜热电偶的方法，涉及激光微加工和膜传感器技术领域，其包括：S1准备电子浆料；S2计算获得不同浆料在曲面上的复合直写的工艺参数；S3：在待制备热电偶的曲面上制备绝缘介质层；S...
曾晓雁欧阳韬源吕铭刘建国
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