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李中波

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇氯化
  • 4篇氯化镧
  • 3篇坩埚下降法
  • 3篇坩埚下降法生...
  • 3篇下降法
  • 2篇断层扫描
  • 2篇氧化镧
  • 2篇正电子
  • 2篇正电子发射
  • 2篇正电子发射断...
  • 2篇正电子发射断...
  • 2篇射线
  • 2篇镧系
  • 2篇镧系元素
  • 2篇离子
  • 2篇炉体
  • 2篇炉体结构
  • 2篇结晶水
  • 2篇金属
  • 2篇金属离子

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇任国浩
  • 6篇陈晓峰
  • 6篇李中波
  • 5篇陆晟
  • 5篇沈勇
  • 4篇裴钰
  • 2篇薛炫萍
  • 1篇齐玲君
  • 1篇丁栋舟

传媒

  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能被引量：1
2006年
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。
任国浩陈晓峰薛炫萍李中波沈勇陆晟
关键词：CSI(TL)晶体光输出非均匀性
一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法
本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl<Sub>3</Sub>原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10-20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择...
任国浩裴钰陈晓峰李中波陆晟沈勇
文献传递
以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术
本发明以高纯碳、硅或锗单质粉末为脱氧剂，和CsI多晶粉末或CsI(Tl)碎晶块作为生长原料，烘干和充分混合均匀后，密封在铂金或石英坩埚中。采用Bridgman方法进行晶体生长。在特殊设计的下降驱动系统中，坩埚的下降速度控...
任国浩陈晓峰李中波丁栋舟薛炫萍齐玲君
文献传递
氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料
本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用，属于闪烁材料领域。本发明组成为Ce<Sub>x</Sub>LaCl<Sub>3(1-x)</Sub>F<Sub>3x</Sub>或M<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y<...
任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟
文献传递
氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料
本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用，属于闪烁材料领域。本发明组成为Ce<Sub>x</Sub>LaCl<Sub>3(1－x)</Sub>F<Sub>3x</Sub>或M<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y<...
任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟
文献传递
一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法
本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl<Sub>3</Sub>原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择...
任国浩裴钰陈晓峰李中波陆晟沈勇
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