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林江

作品数:1 被引量:4H指数:1
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系无机非金属材料研究所更多>>
发文基金:中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮气
  • 1篇等离子体
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇乙氧基
  • 1篇四乙氧基硅烷
  • 1篇平衡等离子体
  • 1篇基底温度
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非平衡等离子...
  • 1篇大气压

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇韩高荣
  • 1篇张溪文
  • 1篇林江

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
大气压非平衡等离子体沉积氧化硅薄膜被引量:4
2012年
本文搭建了一套大气压等离子体薄膜沉积系统,其装置采用喷枪方式,结合运动机构控制喷枪按特定轨迹移动镀膜。四乙氧基硅烷(TEOS)作为硅的先驱体,氮气为先驱体载气和等离子体放电气体,基底温度50℃~300℃,进行了大气压等离子体化学气相沉积氧化硅薄膜的研究。运用红外光谱(FTIR)、光学椭偏仪,扫描电镜(SEM)和纳米压痕仪对沉积的薄膜进行了表征。研究表明,薄膜中富含Si—O—Si键且有少量S—OH键;较高基底温度有利于在硅基底上得到一层平整致密的薄膜;基底温度300℃时薄膜硬度达到4.8GPa,略低于采用PECVD方法沉积的氧化硅薄膜。
林江张溪文韩高荣
关键词:氧化硅薄膜大气压氮气四乙氧基硅烷基底温度
共1页<1>
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