2024年6月26日
星期三
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
林江
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
供职机构:
浙江大学材料科学与工程学系无机非金属材料研究所
更多>>
发文基金:
中央级公益性科研院所基本科研业务费专项
更多>>
相关领域:
理学
一般工业技术
更多>>
合作作者
张溪文
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
韩高荣
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
一般工业技术
1篇
理学
主题
1篇
氮气
1篇
等离子体
1篇
氧化硅薄膜
1篇
乙氧基
1篇
四乙氧基硅烷
1篇
平衡等离子体
1篇
基底温度
1篇
硅薄膜
1篇
非平衡等离子...
1篇
大气压
机构
1篇
浙江大学
作者
1篇
韩高荣
1篇
张溪文
1篇
林江
传媒
1篇
材料科学与工...
年份
1篇
2012
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
大气压非平衡等离子体沉积氧化硅薄膜
被引量:4
2012年
本文搭建了一套大气压等离子体薄膜沉积系统,其装置采用喷枪方式,结合运动机构控制喷枪按特定轨迹移动镀膜。四乙氧基硅烷(TEOS)作为硅的先驱体,氮气为先驱体载气和等离子体放电气体,基底温度50℃~300℃,进行了大气压等离子体化学气相沉积氧化硅薄膜的研究。运用红外光谱(FTIR)、光学椭偏仪,扫描电镜(SEM)和纳米压痕仪对沉积的薄膜进行了表征。研究表明,薄膜中富含Si—O—Si键且有少量S—OH键;较高基底温度有利于在硅基底上得到一层平整致密的薄膜;基底温度300℃时薄膜硬度达到4.8GPa,略低于采用PECVD方法沉积的氧化硅薄膜。
林江
张溪文
韩高荣
关键词:
氧化硅薄膜
大气压
氮气
四乙氧基硅烷
基底温度
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张