邱伟成
- 作品数：65 被引量：15H指数：3
- 供职机构：国防科学技术大学更多>>
- 发文基金：湖南省研究生科研创新项目国家部委资助项目光电信息控制和安全技术重点实验室基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>
- 一种增强型薄膜磁性可调结构
- 本发明公开了一种增强型薄膜磁性可调结构，自下而上依次设置的底电极、压电层、磁性膜层，进行磁场调控时，对压电层加载电压，压电层会产生应力应变，该应力应变传递至磁性膜层，实现磁性电调控。所述磁性膜层包括多个交替层叠设置的磁性...
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- 利用磁通电调控抑制低频噪声的磁传感器及其应用方法
- 本发明公开了一种利用磁通电调控抑制低频噪声的磁传感器及其应用方法，本发明磁传感器的绝缘基底上设有第一和第二磁力线聚集器，绝缘基底上位于第一和第二磁力线聚集器间的间隙中设有磁电阻敏感单元，间隙的上侧设有磁通电调控单元，磁通...
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- 文献传递
- 一种铁磁薄膜外延单层石墨烯及其制备方法
- 本发明公开了铁磁薄膜外延单层石墨烯的制备方法，通过高温退火使得铁磁薄膜单晶化，结合碳成核、扩散和析出过程调控，诱导石墨烯在单晶铁磁表面的自我终止生长，实现单层石墨烯的外延制备。本发明可解决高溶碳金属材料上生长单层石墨烯的...
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- 一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜
- 本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到...
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- 文献传递
- 线阵碲镉汞探测器致损单元反常响应机理研究
- 2016年
- 用1 064nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器,随着激光能量的增大,探测单元出现了不同程度的损伤,发现了致损单元的反常响应现象,致损单元响区蓝移,对波长为1 064nm的光响应灵敏度明显增强。结果表明:受损单元p型碲镉汞层出现汞析出现象后,受损光敏元碲镉汞材料组分和载流子浓度发生变化,pn结耗尽层宽度的变化导致pn结等效电阻变化,这是导致芯片损伤单元出现反常响应的主要因素。研究发现受损光敏元随着碲镉汞材料组分增大,碲镉汞材料能带禁带宽度增大,使探测器响区出现蓝移现象,这是损伤单元对波长为1 064nm激光响应更加灵敏的主要原因。
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- 关键词：禁带宽度
- 一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计
- 本发明公开了一种基于超导和隧穿磁电阻的高精度复合磁梯度计，自下而上依次包括超导闭合环路层，绝缘层和隧穿磁电阻器件层，所述超导闭合环路层包括两个位于同一平面内且呈镜面对称设置的超导环，所述超导环包括窄区、宽区和用于连接窄区...
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- 一种串联式三轴一体化磁传感器
- 本发明公开了一种串联式三轴一体化磁传感器，包括绝缘基底、磁通聚集器、磁变轨单元、参考磁电阻和四个敏感磁电阻，磁通聚集器设于绝缘基底中心，磁变轨单元置于磁通聚集器上方，四个敏感磁电阻呈中心对称分布于绝缘基底上、且位于磁通聚...
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- 文献传递
- 一种在单晶铁磁薄膜基底上生长层厚可控石墨烯的方法
- 本发明公开了一种在单晶铁磁薄膜基底上生长层厚可控石墨烯的方法，适用于制备层数可控的连续石墨烯薄膜。该方法是将单晶铁磁薄膜进行饱和溶碳，然后将饱和溶碳的单晶铁磁薄膜从生长温度向目标温度降温，降温速率≤1℃/min，使偏析生...
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- 一种宽量程TMR传感器隧道结及传感器
- 本发明公开了一种宽量程TMR传感器隧道结及传感器，本发明的宽量程TMR传感器隧道结包括基底和设于基底上的三明治结构体，所述三明治结构体包括依次层叠布置的自由铁磁层、绝缘势垒层和钉扎层，所述自由铁磁层和钉扎层具有不同的矫顽...
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- 一种柔性力传感器、柔性力/磁场复合传感器及机器人
- 本发明公开了一种柔性力传感器、柔性力/磁场复合传感器及机器人，本发明柔性力传感器的柔性外壳内设有离电压力电容器和柔性绝缘层，离电压力电容器的数量为两个，柔性绝缘层夹持布置于两个离电压力电容器之间，两个离电压力电容器两者构...
- 胡佳飞杨诚修潘孟春吴少伟邱伟成李裴森彭俊平杜青法胡悦国张琦
