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陶涛

作品数:3 被引量:12H指数:1
供职机构:南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划南通市应用研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇水线
  • 1篇转换器
  • 1篇网络
  • 1篇芯片
  • 1篇流水线
  • 1篇逻辑综合
  • 1篇模数转换
  • 1篇模数转换器
  • 1篇模型分析
  • 1篇可逆逻辑
  • 1篇可逆逻辑综合
  • 1篇击穿电压
  • 1篇级联
  • 1篇仿真
  • 1篇A/D
  • 1篇A/D芯片
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇LDMOS

机构

  • 3篇南通大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 3篇陶涛
  • 2篇陈海进
  • 1篇孙玲
  • 1篇景为平
  • 1篇罗向东
  • 1篇季红兵
  • 1篇徐炜炜
  • 1篇程梦璋
  • 1篇秦小麟
  • 1篇孙海燕
  • 1篇管致锦
  • 1篇刘焱华

传媒

  • 2篇南通大学学报...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
110V体硅LDMOS器件研究被引量:1
2008年
利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量存在一个最优值,过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿,而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿;衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果,但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用;场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值;栅极板长度存在最优值,栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低.
罗向东孙玲陈海进刘焱华孙海燕徐炜炜陶涛程梦璋景为平
关键词:LDMOS击穿电压仿真
基于CMOS工艺的1.5bit10位流水线A/D芯片建立模型分析
2006年
文章针对几种典型结构的模数转换器的性能结构进行了比较分析,并选择流水线结构实现10位模数转换器;分析了流水线结构模数转换器的结构特性,以及利用1.5bit/级流水线结构所完成的电路误差校正.
陶涛季红兵陈海进
关键词:流水线模数转换器
可逆逻辑门网络的表示与级联被引量:11
2010年
可逆计算是一个新兴的研究领域,可逆逻辑门网络的级联是可逆计算的重要内容.本文提出了一种可逆逻辑网络表示方法,给出了相应的可逆网络模型.为了构造可逆逻辑网络,给出了一种可逆逻辑门单元库的构造方法.证明了同一垂直线上两个不相交可逆逻辑门单元的输出值与此二逻辑门单元分布到相同平行线的两条相邻垂直线上的输出值之间的关系;给出了分布在相同平行线上奇数和偶数个相邻的相同可逆逻辑门单元输出结果的性质.提出了一种可逆网络输出向量的表示方法和基于可逆门编码的可逆网络级联方法,以此生成给定范围内的可逆网络.通过变进制数的方法快速找到可逆网络输出向量所对应的序号,降低了搜索次数,减小了搜索空间,为进一步综合大规模可逆网络,提高可逆网络级联效率提供了支持.Benchmark例题验证表明,该方法构造的可逆网络控制门数更少,代价更小.
管致锦秦小麟陶涛
关键词:可逆逻辑综合
共1页<1>
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