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王若铮

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：西北大学更多>>
发文基金：陕西省教育厅规划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇漏极
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇晶片
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅单晶片
  • 2篇背栅
  • 1篇制备及特性

机构

  • 3篇西北大学

作者

  • 3篇邓周虎
  • 3篇张志勇
  • 3篇翟春雪
  • 3篇王若铮
  • 2篇赵武
  • 2篇陈骞
  • 2篇王雪文
  • 2篇闫军锋
  • 1篇尹铁恩
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇马超
  • 1篇吴志华

传媒

  • 1篇西北大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碳纳米管定向网络场效应晶体管的制备及特性被引量：2
2011年
目的采用简单易行的方法,制备以碳纳米管定向网络为导电沟道的场效应晶体管。方法采用氧化及酸处理的方法对碳纳米管进行提纯,用高频交流电泳在电极间形成碳纳米管的定向网络,并据碳纳米管的导电特性确定半导体性碳纳米管的耗尽栅压,利用大电流烧蚀法去除金属性碳纳米管。结果制备出背栅型碳纳米管定向网络场效应晶体管,测量了输出特性。结论经过提纯处理的碳纳米管纯度提高,碳纳米管在电极间的定向分布效果随交流电场频率的提高而改善,制备出的碳纳米管场效应晶体管具备一定的场效应特性。
翟春雪王若铮马超尹铁恩吴志华赵丽丽陈骞张志勇邓周虎
关键词：场效应晶体管
一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管
本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层，在绝缘层上有由一个源极和两个或两个以上相...
张志勇翟春雪邓周虎王若铮陈骞赵武王雪文闫军锋
一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管
本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层，在绝缘层上有由一个源极和两个或两个以上相...
张志勇翟春雪邓周虎王若铮陈骞赵武王雪文闫军锋
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