田伟
- 作品数：4 被引量：19H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 石墨烯太赫兹调制器及330GHz无线通信系统被引量：1
- 2014年
- 现有太赫兹无线通信系统通常采用微波倍频或直接调源的方式。本文从太赫兹波空间调制技术出发,研究了一种基于直接调制技术的太赫兹无线通信系统。重点探索了一种基于石墨烯/半导体硅的复合结构(GOS),研究出调制速率达到1 MHz,调制深度50%以上,工作频带覆盖0.2 THz^2 THz频段的新型全光学太赫兹调制器。在此基础上,构建了330 GHz载波频率的太赫兹无线通信系统,实现了1 Mbps的通信速率。
- 刘海涛文岐业杨青慧陈智孙丹丹田伟张怀武
- 关键词：GHZ石墨烯
- 硅基全光宽带太赫兹幅度调制器的研究被引量：4
- 2015年
- 提出了一种基于掺金硅的全光学宽带太赫兹波幅度调制器,研究了金(Au)点阵掺杂后硅(Si)体内的少数载流子寿命及其太赫兹波调制特性.实验结果表明,掺杂的Au原子为Si中的光生电子-空穴对提供了有效复合中心,使其少数载流子寿命由原来十几微秒降低至110 ns左右.利用波长915 nm调制激光作为抽运光源,在340 GHz载波的动态调制测试中获得4.3 MHz的调制速率和21%的调制深度,使Si基调制器的调制速率提高了两个数量级.该全光太赫兹调制器可工作在整个太赫兹频段内,具有极化不敏感特性,因而在太赫兹波高速和宽带调控方面具有重要的应用价值,也是构建光控型Si基太赫兹功能器件的重要基础.
- 田伟文岐业陈智杨青慧荆玉兰张怀武
- 关键词：太赫兹波调制器光控
- 硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究被引量：13
- 2015年
- 本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变化超过3个数量级,热滞回线宽度约为6°C.基于VO2薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线,观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度,显示了优越的电致相变特性.室温下电致相变阈值电压为8.6V,电致相变弛豫电压宽度约0.1 V.随着温度升高到60°C,其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V.本实验制备的VO2薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.
- 熊瑛文岐业田伟毛淇陈智杨青慧荆玉兰
- 关键词：二氧化钒硅基片氧化铝
